커패시터리스 디램 특성과 저항변화물질에 의한 비휘발성메모리 특성을 갖는 비휘발성 디램

Abstract

본 발명은 메모리 소자에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 커패시터리스 디램(Capacitorless DRAM) 특성과 RRAM(Resistance Random Access Memory)의 특성을 갖는 융합 메모리에 관한 것이다.본 발명에 따른 비휘발성 디램은 반도체 기판, 반도체 기판상에 형성된 정공 포위층, 정공 포위층상에 형성된 부유바디, 부유바디상에 형성된 저항변화 물질층, 저항변화 물질층상에 형성된 게이트, 및 정공 포위층상에 부유바디를 사이에 두고 서로 이격되어 형성된 소스 및 드레인을 포함한다.비휘발성 메모리(Non-Volatile Memory), 디램(DRAM; Dynamic Random Access Memory), 커패시터리스 디램(Capacitorless DRAM), RRAM(Resistance Random Access Memory), 비휘발성 디램, 저항변화소자(Resistive Switching FET)