기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀 및 그어레이NON-VOLATILE MEMORY CELL USING MECHANICAL SWITCH AND ARRAY THEREOF

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본 발명은 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀 및 그 어레이에 관한 것이다. 이러한 본 발명에 따른 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀은 기판, 기판 상에 형성된 유전체층, 유전체층 상에 형성된 게이트전극, 게이트전극의 일측에 이격되어 유전체층 상에 형성된 소오스전극, 게이트전극의 타측에 이격되어 유전체층 상에 형성된 드레인전극, 소오스전극 상에 형성된 부착부와 부착부에 전기적으로 연결되고 드레인전극의 상부까지 연장 형성된 이동부를 포함하는 이동전극을 포함한다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2008-02-28
Application Date
2007-05-23
Application Number
10-2007-0050341
Registration Date
2008-02-28
Registration Number
10-0810519-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/228196
Appears in Collection
EE-Patent(특허)
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