비휘발성 메모리 소자와 그 제조방법 및 구동방법

Abstract

본 발명은 비휘발성 메모리 소자와 그 제조방법 및 구동방법에 관한 것이다.이러한 본 발명에 따른 비휘발성 메모리 소자는 돌출형 채널이 형성된 기판과, 상기 채널 상에 형성된 제1 터널링 절연막과, 상기 채널 상부의 제1 터널링 절연막 상에 형성되어, 상기 채널로부터 상기 제1 터널링 절연막을 터널링한 전하의 저장공간을 제공하는 제1 부유 게이트과, 상기 제 1부유 게이트를 매립하여, 상기 제1 터널링 절연막 상에 형성된 제2 터널링 절연막과, 상기 제2 터널링 절연막 상에 형성되어, 상기 채널로부터 상기 제1 터널링 절연막과 상기 제2 터널링 절연막을 터널링한 전하의 저장공간을 제공하는 제2 부유 게이트과, 상기 제2 부유 게이트를 매립하여, 상기 제2 터널링 절연막 상에 형성된 제어 절연막 및 상기 제어 절연막 상에 형성된 게이트를 포함한다.이러한 본 발명에 따르면, 비휘발성 메모리 소자의 집적도가 향상되고, 단채널효과(short channel effect)로 인한 누설전류의 양을 감소시켜 안정적인 동작을 하는 비휘발성 메모리 소자와 그 제조방법 및 구동방법을 제공하는 등의 효과가 있다.