기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀 및 그동작방법NON-VOLATILE MEMORY CELL USING MECHANICAL SWITCH AND METHOD OF DRIVING THEREOF
본 발명은 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀 및 그 동작방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명에 따른 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀은 기판 내에 서로 이격되어 형성된 소오스와 드레인, 기판 상에 형성된 절연층, 소오스와 드레인 사이의 절연층의 표면에 형성된 플로팅게이트(Floating gate), 플로팅게이트의 일측에 이격되고, 소오스와 드레인 사이의 절연층의 표면에 형성된 제1전극(Selection gate), 플로팅게이트의 타측에 이격되고, 절연층의 표면에 형성된 제2전극(Control gate) 및 제1전극과 제2전극의 전위차에 따라, 제1전극의 전위를 플로팅게이트로 전송하는 이동전극을 포함한다.기계적인 스위치, 비휘발성 메모리, 플로팅게이트, 전계효과트랜지스터(Field Effect Transistor, FET), 딤플
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2008-03-25
- Application Date
- 2007-04-09
- Application Number
- 10-2007-0034728
- Registration Date
- 2008-03-25
- Registration Number
- 10-0818239-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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