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Browse "School of Electrical Engineering(전기및전자공학부)" by Author 전상훈

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13	Negative capacitance effect in HfO2-based imprinted antiferroelectric / dielectric bilayer for capacitance boosting applications = 임프린트된 하프니아 반강유전체 / 유전체 이중층의 음의 정전용량 효과 및 응용에 대한 연구 link Kim, Taeho; Jeon, Sanghun; et al, 한국과학기술원, 2023
14	Relatively thick Hafnia strategies to obtain high dielectric constant near MPB for display applications = 디스플레이 응용 분야에서 MPB에 가까운 높은 유전 상수를 얻기 위한 상대적으로 두꺼운 하프니아 전략 link Yixin, Qin; Jeon, Sanghun; et al, 한국과학기술원, 2023
15	Si/Si0.8Ge0.2/Si 양자우물구조에서의 정공특성 분석Analysis hole property in Si/Si0.8Ge0.2/Si Quantum Well 홍성철; 전상훈; 이승창; 유경화, 제 2회 한국반도체 학술대회, Si/SiGe, pp.271 - 272, 1995
16	(The) thermal stability of hafnia-based ferroelectric devices for transistor with excellent high temperature characteristics = 우수한 고온 특성을 가진 트랜지스터를 위한 하프니아 기반의 강유전체 소자에 대한 열적안정성 연구 link Eom, Taehyong; Jeon, Sanghun; et al, 한국과학기술원, 2022
17	강유전체 기반 메모리 소자 및 그 제조 방법 전상훈; 이상호
18	강유전체 박막의 기능성 중간층을 활용한 강유전체 터널 정션 소자 = (A) study on hafnia-based ferroelectric tunnel junction device by inserting functional interlayer link 신훈범; 전상훈; et al, 한국과학기술원, 2023
19	강유전체 전계효과 트랜지스터 기반의 비휘발성 다수결 함수 로직-인-메모리 전상훈; 황정현
20	분극 가능한 물질을 이용한 메모리 소자 전상훈; 조홍래
21	분극 물질층 갖는 소자를 위한 산화물 전극 전상훈; 고영인
22	비휘발성 메모리 소자 및 이를 포함하는 크로스 포인트 어레이 장치 전상훈; 고영인
23	유연 디스플레이를 위한 iCVD 기반 유기물 박막을 적용한 산화물 TFT의 저온 열처리 및 굽힘 안정성 평가 = Low temperature annealing and mechanical stability of oxide TFT applied with iCVD-based organic layer for flexible display link 정태승; 전상훈; et al, 한국과학기술원, 2022
24	이종 접합을 포함하는 유전체 및 그 제조 방법 전상훈
25	이종접합 바이폴라 트랜지스터 및 그 제조방법 전상훈; 홍성철
26	임프린트된 저손상 하프니아 반강유전체/유전체 이중층의 높은 정전용량 부스팅과 응용 = High capacitance boosting effect and application of low-damaged imprinted hafnia antiferroelectric/dielectric bilayer link 정영석; 전상훈; et al, 한국과학기술원, 2023
27	절연막으로 사용되는 하프니아 유전체 및 그 제조 방법 전상훈; 황정현
28	채널 폭을 증가시킨 구조의 트랜지스터 및 그 제조 방법 전상훈
29	확산 방지막을 사용한 하프니아 기반의 강유전체 소자에 대한 연구 = Hafnia-based ferroelectric device with diffusion barrier link 김민기; 전상훈; et al, 한국과학기술원, 2022

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