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Low Cost wafer-level packaging method based on anodized aluminum substrate with backside signal Pad and EMC passivation = 양극산화 알루미늄 기판 기반의 신호 패드 및 에폭시 몰딩 컴파운드의 보호막을 포함한 웨이퍼 레벨 패키지link Kim, Young-Joon; 김영준; et al, 한국과학기술원, 2010 |
MOS characteristics of substituted Al gate on high-kappa dielectric Park, CS; Cho, Byung Jin; Kwong, DL, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, v.25, no.11, pp.725 - 727, 2004-11 |
기공성 구조를 가지는 양극 산화 알루미늄의 고주파 영역에서의 전기적 특성 분석 = Characterization of anodized porous aluminum for high frequency applicationslink 류승한; Ryu, Seung-Han; et al, 한국과학기술원, 2007 |
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