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Browse "School of Electrical Engineering(전기및전자공학부)" by Author 차선용

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1
A Novel Procedure for Circuit Modeling of Dielectric Relaxation of (Ba,Sr)TiO3 Thin Film Capacitor and Its Effect on DRAM Operation

이희철; 장병탁; 차선용, 제6회 한국반도체 학술대회, pp.239 - 240, 1999

2
Analysis of Dielectric Properties of the Interfacial Layers in Ba0.7Sr0.3TiO3/Pt Structures

이희철; 이승훈; 곽동화; 장병탁; 차선용; 유병곤; 백종태, JOURNAL OF THE KOREAN INSTITUTE OF TELEMATICS AND ELECTRONICY, v.33, no.8, pp.132 - 137, 1996-08

3
Ba0.7, Sr0.3, Tio3 박막 커패시터의 마이크로파 측정.

장병탁; 차선용; 이승훈; 곽동화; 이희철; 유병곤; 백종태; et al, 전자공학회논문지 A, v.33, no.2, pp.114 - 121, 1996

4
Ba0.7Sr0.3TiO3 박막 커패시커의 마이크로파 측정

장병탁; 차선용; 이승훈; 곽동화; 이희철; 유병곤; 백종태; et al, JOURNAL OF THE KOREAN INSTITUTE OF TELEMATICS AND ELECTRONICY, v.33, no.2, pp.114 - 121, 1996-01

5
Ba0.7Sr0.3TiO3/Pt 구조의 계면층 유전특성 분석

이승훈; 곽동화; 장병탁; 차선용; 이희철; 유병곤; 백종태, 전자공학회논문지 A, v.33, no.8, pp.132 - 137, 1996-08

6
Calulation of Trap Densities between BST/Pt Interface from Capacitance-Voltage Characteristics and Rapid Thermal Annealing Fttect for DRAM Application

이희철; 곽동화; 장병탁; 차선용, 제 4회 한국반도체 학술대회, pp.0 - 0, 1997-02-01

7
DRAM storage capacitor용 고유전율 박막을 위한 Pt 하부전극에 관한 연구 = A study on Pt bottom electrode for high dielectric thin films of DRAM storage capacitorlink

차선용; Cha, Seon-Yong; et al, 한국과학기술원, 1995

8
E-beam Evaporation 2방법에 의해 증착된 고유전율 박막용 Pt 하부전극에 관한 연구

이희철; 차선용, 제 2회 한국반도체 학술대회, pp.107 - 108, 1995

9
Graded-IrO2 Diffusion Barrier를 사용한 (Ba,Sr)TiO3 커패시터용 하부 전극 구조

이희철; 차선용, 제 7회 한국반도체 학술대회, pp.341 - 342, 2000

10
High dielectric $(Ba,Sr)TiO_3$ capacitors using iridium-based electrode materials = Iridium 계열의 전극 재료를 사용한 고유전 $(Ba,Sr)TiO_3$ 커패시터link

Cha, Seon-Yong; 차선용; et al, 한국과학기술원, 2000

11
Ir Thin Film as a Bottom Electrode for High Dielectic (Ba,Sr)TiO3 Capacitor

이희철; 차선용; 장병탁; 곽동화, 제 4회 한국반도체 학술대회, pp.0 - 0, 1997-02-01

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