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Heterogeneous and Monolithic 3D Integration of III-V-Based Radio Frequency Devices on Si CMOS Circuits Jeong, Jaeyong; Kim, Seong Kwang; Kim, Jongmin; Geum, Dae-Myeong; Kim, Duckhyun; Jo, Eunju; Jeong, Hakcheon; et al, ACS NANO, v.16, no.6, pp.9031 - 9040, 2022-06 |
Passivation효과를 고려한 InP기반 HEMT의 공정 최적화 = Fabrication process optimization for InP-based HEMTs considering the passivation effectslink 김대희; Kim, Dae-Hee; et al, 한국과학기술원, 2003 |
Trap의 영향을 고려한 고주파 HEMT 잡음 모델링에 관한 연구 = Microwave HEMT noise modeling considering trap effectslink 황민지; Hwang, Min-Ji; et al, 한국과학기술원, 2005 |
다양한 Gate insulator 를 이용한 고전력 AlGaN/GaN MIS-HEMT 제작 = Fabrication of high-breakdown AlGaN/GaN MIS-HEMTs using various gate insulatorslink 고광의; Ko, Kwang-Ui; et al, 한국과학기술원, 2007 |
횡 전달 방식의 양자우물 적외선 수광 소자 = Lateral transport quantum well infrared photodetectorlink 엄준호; Oum, Joon-Ho; et al, 한국과학기술원, 2004 |
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