Browse "Dept. of Materials Science and Engineering(신소재공학과)" by Author 이정주

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AES, RBS 및 XRD 분석을 이용한 Si(111)면에서의 다결정-CrSi2의 성장

김건호; 김도희; 이정주; 강치형; 전욱배; 이정용; 최치규, 새물리, v.34, no.6, pp.726 - 731, 1994-12

2
AES를 이용한 정량분석에서 Matrix 효과에 대한 보정 - 몇가지 Silicide와 RuO2 박막의 경우-

김건호; 이정주; 김현수; 강치형; 유철승; 최치규; 이정용; et al, 새물리, v.35, no.2, pp.230 - 237, 1995-12

3
Growth of Ti on Si(111)-7 7 Surface and the Formation of Epitaxial C54 TiSi2 on Si(111) Substrate

김건호; 김인호; 이정주; 서동주; 최치규; 홍성락; 양수정; et al, 한국진공학회지, v.1, no.1, pp.67 - 72, 1992

4
MOCVD 성장조건이 InN/GaN 다층박막의 발광세기에 미치는 영향

김현수; 이정주; 정순영; 이정용; J.T.Lin; H.X.Jiang, 한국재료학회지, v.12, no.3, pp.190 - 194, 2002-03

5
니켈 실리사이드의 상에 따른 전자구조가 Auger 스펙트럼에 미치는 효과

김성철; 박재돈; 황해선; 김건호; 이정주; 김인호; 서동주; et al, 새물리, v.32, no.1, pp.115 - 120, 1992-12

6
반도체형 epi-β-FeSi2/Si(111) 구조의 형성과 전자구조

김건호; 임태균; 박정환; 이정주; 김현수; 강정수; 최치규; et al, 새물리, v.37, no.3, pp.258 - 268, 1997-12

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