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100keV O+이온 빔에 의한 SIMOX SOI의 SI-SiO2의 계면 구조 김영필; 최시경; 김현경; 문대원, 한국진공학회지, v.7, no.1, pp.35 - 42, 1998-01 |
Observation of the Si lattice strain in the Si(001)-SiO2 interface transition layer using medium energy ion scattering 최시경; 김영필; 김현경; 문대원, 추계 한국요업학회, pp.129 -, 1997 |
The structure of the Si-SiO2 interface formed by oxygen ion beam bombardment and high temperature annealing 최시경; 김영필; 김현경; 문동원, 한국진공학회, 1997 |
WC-Co 합금계의 액상소결중 치밀화 = Densification of WC-Co alloys during liquid-phase sinteringlink 김영필; Kim, Young-Pil; et al, 한국과학기술원, 2000 |
이온빔 산화와 열 산화에 의해 형성된 Si(001)-SiO$_2$계면의 구조 = The structure of the Si(001)-SiO$_2$ interface formed by ion beam oxidation and thermal oxidationlink 김영필; Kim, Young-Pil; et al, 한국과학기술원, 1998 |
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