Showing results 1 to 3 of 3
플라즈마 화학증착된 Aluminum oxide 박막의 $CF_4$와 $CC1_4$ 플라즈마에서의 Reactive ion etching 특성 = The $CF_4/CC1_4$ reactive ion etching properties of aluminum oxide films deposited by PECVDlink 김형석; Kim, Hyung-Suk; et al, 한국과학기술원, 1993 |
플라즈마 화학증착한 aluminum oxide의 reactive ion etching 특성 이원종; 김형석; 천성순, 한국재료학회 추계학술연구발표회, pp.0 - 0, 한국재료학회, 1992-11 |
플라즈마 화학증착한 알루미늄 산화박막의 CCl₄ 플라즈마에서의 반응성 이온식각 특성 김재환; 김형석; 이원종, 한국세라믹학회지, v.31, no.5, pp.485 - 490, 1994-05 |
Discover