플라즈마 화학증착한 알루미늄 산화박막의 CCl₄ 플라즈마에서의 반응성 이온식각 특성Reactive Ion Etching Characteristics of Aluminum Oxide Films Prepared by PECVD in CCl₄ Dry Etch Plasma
플라즈마 화학증착한 알루미늄 산화막의 CCl₄ 플라즈마 분위기에서의 반응성 이온식각 특성을 연구하였다. 여러 식각조건에서 Cl원자 농도와 DC self bias를 측정하였으며, 이들이 알루미늄 산화막의 식각속도에 미치는 영향을 조사하였다. 알루미늄 산화막의 식각속도는 Cl 원자의 농도에도 약하게 의존하지만 주로 시편에 충돌하는 입자의 에너지에 의해서 결정되었다. 그 이유는 알루미늄 산화막의 Al-O 결합이 매우 강하므로 식각 생성물로서 AlCl₃가 형성되기 위해서는 이온 또는 중성입자의 충돌에 의한 활성화 반응이 필요하기 때문으로 사료된다.
- Publisher
- 한국세라믹학회
- Issue Date
- 1994-05
- Language
- Korean
- Citation
한국세라믹학회지, v.31, no.5, pp.485 - 490
- ISSN
- 1229-7801
- Appears in Collection
- MS-Journal Papers(저널논문)
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