23 | Plasma-assisted molecular beam epitaxy of In xGa 1-XN films on: C-plane sapphire substrates Shin, EunJung; Seok, LimDong; Lim, SeHwan; Han, SeokKyu; Lee, HyoSung; Hong, SoonKu; Joeng, Myoungho; et al, Korean Journal of Materials Research, v.22, no.4, pp.185 - 189, 2012-04 |
24 | Selective-Area Growth Mechanism of GaN Microrods on a Plateau Patterned Substrate Ahn, Min-joo; Jeong, Woo-seop; Shim, Kyu-yeon; Kang, Seongho; Kim, Hwayoung; Kim, Dae-sik; Jhin, Junggeun; et al, MATERIALS, v.16, no.6, 2023-03 |
25 | Stability of the cubic phase in GaN doped with 3d-transition metal ions Choi, Eun-Ae; Chang, Kee-Joo, PHYSICA B-CONDENSED MATTER, v.401, pp.319 - 322, 2007-12 |
26 | Structural characterization of GaN nanorods grown by hydride vapor phase epitaxy = 수소화물기상증착법으로 성장된 GaN 나노막대의 구조 특성 연구link Lee, Kyu-Hyung; 이규형; et al, 한국과학기술원, 2009 |
27 | Structural characterization of Ⅲ-nitride based alloys, heterostructures, and quantum wells = Ⅲ-N 질화물 반도체 이종접합구조와 양자우물구조의 구조적 특성link Cho, Hyung-Koun; 조형균; et al, 한국과학기술원, 2002 |
28 | Synthesis and characterization of single precursors for growth of MN (M = Al, Ga) thin films = MN (M = Al, Ga) 박막의 단일선구물질 합성, 특성화 및 박막 성장에 관한 연구link Kim, Youn-Soo; 김윤수; et al, 한국과학기술원, 1998 |
29 | The genesis and importance of oxide-metal interface controlled heterogeneous catalysis; the catalytic nanodiode Park, JeongYoung; Renzas, JR; Contreras, AM; Somorjai, GA, TOPICS IN CATALYSIS, v.46, no.1-2, pp.217 - 222, 2007-09 |
30 | Transferable, flexible white light-emitting diodes of GaN p-n junction microcrystals fabricated by remote epitaxy Jeong, Junseok; Jin, Dae Kwon; Choi, Joonghoon; Jang, Junho; Kang, Bong Kyun; Wang, Qingxiao; Park, Won Il; et al, NANO ENERGY, v.86, 2021-08 |
31 | Ultrashort carrier lifetime of vapor-liquid-solid-grown GaN/InGaN multi-quantum-well coaxial nanorods Ebaid, Mohamed; Kang, Jin-Ho; Lim, Seunghyuk; Ko, Suck-Min; Cho, Yong-Hoon; Ryu, Sang-Wan, ACTA MATERIALIA, v.65, pp.118 - 124, 2014-02 |
32 | 고전압 동작을 위한 차세대 전력반도체 소자 구조개선 및 최적화 = Structural improvement and optimization of next generation power device for high power operationlink 이강훈; Lee, Kang-Hoon; et al, 한국과학기술원, 2014 |
33 | 고출력 RF 집적회로의 신뢰성 향상을 위한 커패시터 구현 = Implementation of reliable capacitors for miniaturized high power RF applicationslink 김정우; Kim, Jung-Woo; et al, 한국과학기술원, 2011 |
34 | 고출력 RF 집적회로의 신뢰성 향상을 위한 커패시터 구현 = Implementation of reliable capacitors for miniaturized high power RF applicationslink 김정우; Kim, Jung-Woo; et al, 한국과학기술원, 2011 |
35 | 다양한 Gate insulator 를 이용한 고전력 AlGaN/GaN MIS-HEMT 제작 = Fabrication of high-breakdown AlGaN/GaN MIS-HEMTs using various gate insulatorslink 고광의; Ko, Kwang-Ui; et al, 한국과학기술원, 2007 |
36 | 마스크 없는 Pendeo epitaxy 공정에 의한 저결함 GaN 박막의 미세구조 연구 = Microstructural characterization of the low dislocation density GaN films grown by maskless pendeo epitaxylink 박동준; Park, Dong-Jun; et al, 한국과학기술원, 2004 |
37 | 마이크로 스트럭쳐 GaN 기술을 이용한 생체 이식형 flexible LED bio-sensor = Implantable, flexible LED bio-sensor using μs-GaN technologylink 이상용; Lee, Sang-Yong; et al, 한국과학기술원, 2011 |
38 | 마이크로 스트럭쳐 GaN 기술을 이용한 생체 이식형 flexible LED bio-sensor = Implantable, flexible LED bio-sensor using μs-GaN technologylink 이상용; Lee, Sang-Yong; et al, 한국과학기술원, 2011 |
39 | 비대칭 랑게 커플러와 적응형 바이어스 회로를 적용한 GaN MMIC 도허티 전력 증폭기 = GaN MMIC doherty power amplifier with asymmetric lange coupler and adaptive bias circuit.link 이상민; Lee, Sangmin; et al, 한국과학기술원, 2015 |
40 | 사파이어 기판 위에 성장된 GaN 박막의 구조적 특성에 관한 연구 = A study on structural properties of GaN epilayers grown on sapphire substratelink 전희정; Jeon, Hee-Jeong; et al, 한국과학기술원, 2002 |
41 | 선택적 양극산화 알루미늄 기판을 이용한 GaN 고출력 SPDT 스위치의 설계 및 제작 = Design and fabrication of GaN high power SPDT switch using selective anodized aluminum substratelink 안정호; Ahn, Jeong-Ho; et al, 한국과학기술원, 2010 |
42 | 집적화된 집중소자 쿼드러쳐 커플러를 이용한 GaN MMIC 도허티 전력 증폭기 = GaN MMIC doherty power amplifier with integrated lumped element quadrature couplerlink 이재훈; Lee, Jae-Hun; et al, 한국과학기술원, 2013 |