2 GHz 대역 RF 대역통과 필터 응용을 위한 AlN 압전 박막을 이용한 FBAR 소자FBAR Device with Thin AlN Piezoelectric Film for 2 GHz RF Bandpass Filter Applications
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 윤기완 | ko |
| dc.contributor.author | 임문혁 | ko |
| dc.contributor.author | 김종헌 | ko |
| dc.contributor.author | 채동규 | ko |
| dc.date.accessioned | 2013-03-03T10:20:47Z | - |
| dc.date.available | 2013-03-03T10:20:47Z | - |
| dc.date.created | 2012-02-06 | - |
| dc.date.created | 2012-02-06 | - |
| dc.date.issued | 2003-03 | - |
| dc.identifier.citation | 한국정보통신학회논문지, v.7, no.2, pp.250 - 254 | - |
| dc.identifier.issn | 2234-4772 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/78354 | - |
| dc.description.abstract | 본 논문에서는 2GHz 대역 RF 대역통과 필터 응용을 위한 FBAR 소자에 대한 연구를 발표한다. 본 연구의 FBAR 소자는 크게 상부 및 하부 전극 사이에 압전체(AlN)가 삽입되어 있는 공진부와 SiO2/W 이 여러층으로 적층되어 있는 음향반사층 두 부분으로 구성되어 있다. RF sputtering 방법으로 증착된 AlN 박막은 c축이 기판에 수직한 정도가 우수한 c축 우선 배향성을 갖는다. 이때 결정립(grain)은 길고 얇은 주상형(columnar)을 보인다. 뿐만아니라, 우수한 품질계수(4300)와 반사손실(37.19 dB)도 얻어졌다. | - |
| dc.language | Korean | - |
| dc.publisher | 한국정보통신학회 | - |
| dc.title | 2 GHz 대역 RF 대역통과 필터 응용을 위한 AlN 압전 박막을 이용한 FBAR 소자 | - |
| dc.title.alternative | FBAR Device with Thin AlN Piezoelectric Film for 2 GHz RF Bandpass Filter Applications | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.type.rims | ART | - |
| dc.citation.volume | 7 | - |
| dc.citation.issue | 2 | - |
| dc.citation.beginningpage | 250 | - |
| dc.citation.endingpage | 254 | - |
| dc.citation.publicationname | 한국정보통신학회논문지 | - |
| dc.identifier.kciid | ART000880299 | - |
| dc.contributor.localauthor | 윤기완 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 임문혁 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김종헌 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 채동규 | - |
| dc.subject.keywordAuthor | FBAR | - |
| dc.subject.keywordAuthor | AlN film | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Multilayer Reflector | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Return Loss | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Quality Factor | - |
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- EE-Journal Papers(저널논문)
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