차세대 반도체 소자의 배선을 위한 구리박막의 reflowReflow of copper film for the interconnection of the next generation semiconductor devices
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 김동원 | ko |
| dc.contributor.author | 김갑중 | ko |
| dc.contributor.author | 권인호 | ko |
| dc.contributor.author | 이승윤 | ko |
| dc.contributor.author | 라사균 | ko |
| dc.contributor.author | 박종욱 | ko |
| dc.date.accessioned | 2013-03-03T08:23:49Z | - |
| dc.date.available | 2013-03-03T08:23:49Z | - |
| dc.date.created | 2012-02-06 | - |
| dc.date.created | 2012-02-06 | - |
| dc.date.issued | 1997-01 | - |
| dc.identifier.citation | 한국진공학회지, v.6, no.3, pp.206 - 212 | - |
| dc.identifier.issn | 1225-8822 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/77962 | - |
| dc.description.abstract | 차세대 반도체 소자의 배선재료로 사용될 것으로 예상되는 구리의 reflow 특성을 조 사하였다. 구리박막을 hole 및 trench 패턴 위에 금속유기화학증착법으로 증착하고 350℃에 서 550℃까지의 열처리 온도 범위 및 질소, 산소 분위기에서 열처리하였다. 질소 분위기에서 열처리 한 경우에는 구리가 패턴을 채우지 못하였고 열처리 온도 450℃ 이상의 산소 분위기 에서 열처리 한 경우에는 reflow에 의하여 구리가 패턴을 채웠다. 이러한 현상은 구리의 산 화시 발생되는 열에 의하여 부분적으로 액상화된 구리가 표면에너지 및 위치에너지를 감소 시키기 위하여 패턴을 채우면서 발생하는 것으로 생각된다. 산소 분위기에서 열처리한 경우 에는 응집물 표면에 300Å이하의 구리 산화물이 형성되었으며 열처리 온도 550℃에서 구리 의 응집에 의하여 비저항이 급격하게 증가하였다. | - |
| dc.language | Korean | - |
| dc.publisher | 한국진공학회 | - |
| dc.title | 차세대 반도체 소자의 배선을 위한 구리박막의 reflow | - |
| dc.title.alternative | Reflow of copper film for the interconnection of the next generation semiconductor devices | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.type.rims | ART | - |
| dc.citation.volume | 6 | - |
| dc.citation.issue | 3 | - |
| dc.citation.beginningpage | 206 | - |
| dc.citation.endingpage | 212 | - |
| dc.citation.publicationname | 한국진공학회지 | - |
| dc.contributor.localauthor | 박종욱 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김동원 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김갑중 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 권인호 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이승윤 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 라사균 | - |
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