Pd 게이트 MOS 센서의 수소검지 특성에 Pd 증착조건이 미치는 영향The Effect of Pd Deposition Condition on the Hydrogen Sensing Performance of Pd Gate MOS Sensor
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 하정균 | ko |
| dc.contributor.author | 박종욱 | ko |
| dc.date.accessioned | 2013-03-03T08:18:53Z | - |
| dc.date.available | 2013-03-03T08:18:53Z | - |
| dc.date.created | 2012-02-06 | - |
| dc.date.created | 2012-02-06 | - |
| dc.date.issued | 1997-01 | - |
| dc.identifier.citation | 한국재료학회지, v.7, no.8, pp.640 - 645 | - |
| dc.identifier.issn | 1225-0562 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/77948 | - |
| dc.description.abstract | 초록 Pd게이트 MOS센서의 수소검지특성에 Pd 박막의 증착조건이 미치는 영향에 대해서 조사였다. rf power의 증가와 증착온도의 증가는 모두 센서의 감도와 초기반응속도를 감소시켰으며 rf power의 변화보다는 증착온도의 변화에 의한 효과가 현저하였다. 절연막을 SixNy /SiO2로 대신한 결과 SiO2에서돠는 달리 시간이 지남에 따라 평탄대역전압이 여러 단계로 변화하는 양상을 보였다. rf power, 증착온도, 기판의 변화가 MOS 센서의 감도나 초기반응속도등의 센서특성에 영향을 미친다는 사실을 확인할 수 있었다. | - |
| dc.language | Korean | - |
| dc.publisher | 한국재료학회 | - |
| dc.title | Pd 게이트 MOS 센서의 수소검지 특성에 Pd 증착조건이 미치는 영향 | - |
| dc.title.alternative | The Effect of Pd Deposition Condition on the Hydrogen Sensing Performance of Pd Gate MOS Sensor | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.type.rims | ART | - |
| dc.citation.volume | 7 | - |
| dc.citation.issue | 8 | - |
| dc.citation.beginningpage | 640 | - |
| dc.citation.endingpage | 645 | - |
| dc.citation.publicationname | 한국재료학회지 | - |
| dc.contributor.localauthor | 박종욱 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 하정균 | - |
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- MS-Journal Papers(저널논문)
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