반응성 RF 마그네트론 스퍼터링 법으로 증착된 AIN 박막의 우선 배향성 및 표면 탄성파 특성에 관한 연구Preferred orientation and SAW characteristics of AlN films deposited by reactive RF magnetron sputtering
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 서주원 | ko |
| dc.contributor.author | 이원종 | ko |
| dc.date.accessioned | 2013-03-03T07:41:53Z | - |
| dc.date.available | 2013-03-03T07:41:53Z | - |
| dc.date.created | 2012-02-06 | - |
| dc.date.created | 2012-02-06 | - |
| dc.date.issued | 1997-04 | - |
| dc.identifier.citation | 한국재료학회지, v.7, no.6, pp.510 - 516 | - |
| dc.identifier.issn | 1225-0562 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/77814 | - |
| dc.description.abstract | 반응성RF 마그네트론 스퍼터링 법으로 상온에서 c-축으로 우선 배향된 AIN 박막을 여러 기판 위에 증착하였다. SiO2/Si, Si3N 4Si, Si(100), Si(111)그리고 α-AI2O₃(0001) 기판에서 AIN(0002)로킹커브 피크의 표준편차는 각각 2.6˚, 3.1˚2.6˚, 2.5˚ 그리고 2.1˚ 의 값을 나타내었다. α-AI2O₃(0001) 기판에 증착된 AIN박막은 epitaxial 성장을 나타내었다. Si기판에 증착된 AIN박막에서 측정된 비저항과 1MHz 주파수에서 측정된 유전상수의 값은 각각 1011Ωcm와 9.5였다. IDT/AIN/α-AI2O₃(0001)구저를 갖는 지연선 소자의 표면 탄성과 특성을 측정하였다. 상 속도, 전기기계 결합계수 그리고 전파손실은 H/λ가 0.17-0.5 범위에서 각각 5448-5640m/s, 0.13-0.17% 그리고 0.41-0.64dB/λ의 값을 나타내었다. | - |
| dc.language | Korean | - |
| dc.publisher | 한국재료학회 | - |
| dc.title | 반응성 RF 마그네트론 스퍼터링 법으로 증착된 AIN 박막의 우선 배향성 및 표면 탄성파 특성에 관한 연구 | - |
| dc.title.alternative | Preferred orientation and SAW characteristics of AlN films deposited by reactive RF magnetron sputtering | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.type.rims | ART | - |
| dc.citation.volume | 7 | - |
| dc.citation.issue | 6 | - |
| dc.citation.beginningpage | 510 | - |
| dc.citation.endingpage | 516 | - |
| dc.citation.publicationname | 한국재료학회지 | - |
| dc.contributor.localauthor | 이원종 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 서주원 | - |
- Appears in Collection
- MS-Journal Papers(저널논문)
- Files in This Item
- There are no files associated with this item.
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.