반응성 RF 마그네트론 스퍼터링 법으로 증착된 AIN 박막의 우선 배향성 및 표면 탄성파 특성에 관한 연구Preferred orientation and SAW characteristics of AlN films deposited by reactive RF magnetron sputtering

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dc.contributor.author서주원ko
dc.contributor.author이원종ko
dc.date.accessioned2013-03-03T07:41:53Z-
dc.date.available2013-03-03T07:41:53Z-
dc.date.created2012-02-06-
dc.date.created2012-02-06-
dc.date.issued1997-04-
dc.identifier.citation한국재료학회지, v.7, no.6, pp.510 - 516-
dc.identifier.issn1225-0562-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/77814-
dc.description.abstract반응성RF 마그네트론 스퍼터링 법으로 상온에서 c-축으로 우선 배향된 AIN 박막을 여러 기판 위에 증착하였다. SiO2/Si, Si3N 4Si, Si(100), Si(111)그리고 α-AI2O₃(0001) 기판에서 AIN(0002)로킹커브 피크의 표준편차는 각각 2.6˚, 3.1˚2.6˚, 2.5˚ 그리고 2.1˚ 의 값을 나타내었다. α-AI2O₃(0001) 기판에 증착된 AIN박막은 epitaxial 성장을 나타내었다. Si기판에 증착된 AIN박막에서 측정된 비저항과 1MHz 주파수에서 측정된 유전상수의 값은 각각 1011Ωcm와 9.5였다. IDT/AIN/α-AI2O₃(0001)구저를 갖는 지연선 소자의 표면 탄성과 특성을 측정하였다. 상 속도, 전기기계 결합계수 그리고 전파손실은 H/λ가 0.17-0.5 범위에서 각각 5448-5640m/s, 0.13-0.17% 그리고 0.41-0.64dB/λ의 값을 나타내었다.-
dc.languageKorean-
dc.publisher한국재료학회-
dc.title반응성 RF 마그네트론 스퍼터링 법으로 증착된 AIN 박막의 우선 배향성 및 표면 탄성파 특성에 관한 연구-
dc.title.alternativePreferred orientation and SAW characteristics of AlN films deposited by reactive RF magnetron sputtering-
dc.typeArticle-
dc.type.rimsART-
dc.citation.volume7-
dc.citation.issue6-
dc.citation.beginningpage510-
dc.citation.endingpage516-
dc.citation.publicationname한국재료학회지-
dc.contributor.localauthor이원종-
dc.contributor.nonIdAuthor서주원-
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MS-Journal Papers(저널논문)
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