CdTe 박막의 근접승화 재조조건에 따른 CdS/CdTe 태양전지의 광전압 특성

Abstract

인쇄 및 소결법으로 제조한 Te-rich CdTe 소스를 근접 승화시켜 CdTe 막을 CdS 기판위에 증착하였다 . 기판 온도 , 태양 전지의 유효 면적 , CdTe 막과 ITO 막의 두께를 변화시켜 CdTe 박막을 제조한 후 CdS-CdTe 태양 전지의 광전압 특성을 연구하였다 . 박막의 효율은 근접 승화 동안 기판 온도를 600 도로 일정하게 유지한 경우가 가장 높았고 , 600 도 보다 낮은 온도에서는 Jsc 와 FF 가 낮고 600 도 보다 높은 온도에서는 Voc 가 낮아졌다 . 근접 승화 초기에는 CdS 기판을 620 도로 유지하여 CdS-CdTe 접합부에 증착되는 CdTe 의 입자 크기를 크게 유지하고 기판 온도 증가에 따른 증착된 Cd 와 Te 의 역증발을 억제하기 위하여 기판 온도를 540 도 낮춘 후 620 도로 다시 높인 결과 단락 전류 밀도가 증가하였다 .