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DRAM 셀 커패시터 적용을 위한 낮은 온도의 열처리 및 E-field cycling을 통한 HfxZryO2의 k값 개선 = Improvement of k-value of HfxZryO2 through low temperature annealing and electric field cycling for dram cell capacitor applicationlink 문선국; 조병진; et al, 한국과학기술원, 2021 |
Electric-field-cycling-induced phase transformation method to obtain morphotropic phase boundary in HfxZr1-xO2 김성호; 문선국; 박우영; 조병진, 제29회 한국반도체학술대회, 연세대학교, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2022-01-24 |
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