여러 연구가들이 C/C 복합재료위에 증착된 SiC 피막층에서 SiC/SiO₂ 계면으로부터 1300℃~1700℃의 온도에서 기공이 발생하는 것을 관찰하였다. 이러한 온도는 순수한 SiC 피막층의 경우 1500℃와 1700℃에서는 열역학적인 계산결과와 잘 들어 맞았으나 1300℃~1400℃의 저온기공 관찰은 계산치와 맞지 않았다. 이러한 저온에서의 기공발생을 설명하기 위하여 C/C 복합재료나 SiC 피막층내에 포함된 수소 수증기 등의 불순물과 B, Al, Zr 등과 같은 산화억제제의 영향을 열역학적으로 계산하였다.