MBE로 성장한 대칭적으로 변형된 Si/Ge 단원자층 초격자의 특성
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 우용득 | ko |
| dc.contributor.author | 김문덕 | ko |
| dc.contributor.author | 한명수 | ko |
| dc.contributor.author | 손윤 | ko |
| dc.contributor.author | 강태원 | ko |
| dc.contributor.author | 이정용 | ko |
| dc.date.accessioned | 2013-02-25T14:38:45Z | - |
| dc.date.available | 2013-02-25T14:38:45Z | - |
| dc.date.created | 2012-02-06 | - |
| dc.date.created | 2012-02-06 | - |
| dc.date.issued | 1992-12 | - |
| dc.identifier.citation | 새물리, v.32, no.5, pp.715 - 719 | - |
| dc.identifier.issn | 0374-4914 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/62927 | - |
| dc.language | Korean | - |
| dc.publisher | 한국물리학회 | - |
| dc.title | MBE로 성장한 대칭적으로 변형된 Si/Ge 단원자층 초격자의 특성 | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.type.rims | ART | - |
| dc.citation.volume | 32 | - |
| dc.citation.issue | 5 | - |
| dc.citation.beginningpage | 715 | - |
| dc.citation.endingpage | 719 | - |
| dc.citation.publicationname | 새물리 | - |
| dc.contributor.localauthor | 이정용 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 우용득 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김문덕 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 한명수 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 손윤 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 강태원 | - |
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