불순물 농도에 따른 산화막 성장률의 차이를 이용한 자기정렬된 금속 게이트 MOSFET 구조
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 고요환 | ko |
| dc.contributor.author | 최진호 | ko |
| dc.contributor.author | 김충기 | ko |
| dc.date.accessioned | 2013-02-24T11:24:53Z | - |
| dc.date.available | 2013-02-24T11:24:53Z | - |
| dc.date.created | 2012-02-06 | - |
| dc.date.created | 2012-02-06 | - |
| dc.date.issued | 1987-07 | - |
| dc.identifier.citation | 전기학회논문지, v.36, no.7, pp.16 - 23 | - |
| dc.identifier.issn | 1975-8359 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/56798 | - |
| dc.language | Korean | - |
| dc.publisher | 대한전기학회 | - |
| dc.title | 불순물 농도에 따른 산화막 성장률의 차이를 이용한 자기정렬된 금속 게이트 MOSFET 구조 | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.type.rims | ART | - |
| dc.citation.volume | 36 | - |
| dc.citation.issue | 7 | - |
| dc.citation.beginningpage | 16 | - |
| dc.citation.endingpage | 23 | - |
| dc.citation.publicationname | 전기학회논문지 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 고요환 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 최진호 | - |
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