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First-principles study on defects related to the instability of MOSFET and TFT devices = 제일원리 계산을 통한 MOSFET 및 TFT 소자의 불안정성 관련 결함에 대한 연구link Noh, Hyeon-Kyun; 노현균; et al, 한국과학기술원, 2013 |
First-principles study on the mechanism for boron diffusion at SiGe/SiO$_2$ interfaces. = 제일원리 계산을 통한 규소게르마늄-규소산화물 계면에서의 붕소 확산 메카니즘 연구link Lee, Chang-Hwi; 이창휘; et al, 한국과학기술원, 2014 |
MOSFET을 이용한 우리별 1호에서의 total dose effect 연구 = Study of the total dose effect measured on KITSAT-1 using the MOSFET detectorlink 이대희; Lee, Dae-Hee; et al, 한국과학기술원, 1997 |
Simulation and ground test for the total ionizing dose effects of STSAT-2 Ryu, Kwangsun; Shin, Goo-Hwan; Kim, Hyung-Myung; Kim, Sungjoon; Ko, Dai-Ho; Kim, Heejun; Min, KyoungWook, JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, v.50, no.5, pp.1552 - 1556, 2007-05 |
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