| 96 | New metastable boron allotropes on the pressure-induced transition pathway from a-B to g-B 한우현; 장기주; 이인호, 13th KIAS electronic structure calculations, 고등과학원, 2017-06 |
| 97 | New topological semimetallic carbon allotrope in mixed sp2-sp3 bonding networks 성하준; 장기주; 김성현; 이인호, 13th KIAS electronic structure calculations, 고등과학원, 2017-06 |
| 98 | Nitrogen-hydrogen complexes in GaAs 김용성; 장기주, 한국물리학회 봄학술논문발표회, pp.227 - 227, 한국물리학회, 2002-04 |
| 99 | Overview of first-principles electronic structure calculations in condensed matter physics 장기주, 한국물리학회 봄 학술논문발표회, 한국물리학회, 2011-04 |
| 100 | Phase separation and pseudogap in mixded phase manganites 이홍석; 김용현; 장기주, 한국자기학회 2001년도 추계연구발표회, pp.26 - 27, 한국자기학회, 2001 |
| 101 | Phonon-mediated excitonic excitations in solids = 포논 중개에 기인하는 엑시톤성 들뜸상태link Koo, Je-Huan; 구제환; Kim, Jong-Jean; Chang, Kee-Joo; et al, 한국과학기술원, 1994 |
| 102 | Physics and Device Applications of Semiconductor Nanostructures 장기주, 제2회 한국반도체 학술대회195, KPS, 1995-01-01 |
| 103 | Prediction of a new superconducting silicon allotrope and its chemical precursor 성하준; 장기주; 한우현; 이인호, 물리학회 2017년 가을학술논문발표회, 한국물리학회, 2017-10 |
| 104 | Pressure-induced phase transition pathway from a-boron to g-boron 한우현; 장기주; 김성현; 이인호, 2017 한국물리학회 봄학술논문발표회, 한국물리학회, 2017-04 |
| 105 | Quasiparticle energy calculations of the defect states of oxygen vacancy in HfO2 장기주; 최은애, The 5th KIAS Electronic Structure Calculation Workshop, 2009-06 |
| 106 | Quasiparticle GW calculations of the effective work function at TiN/HfO2 interface 오영준; 이태경; 노현균; 장기주, 한국물리학회 가을 학술논문발표회, 한국물리학회, 2013-10 |
| 107 | Role of defects in device stability based on amorphous oxide semiconductors 장기주, Oxide TFT Workshop 및 TFT Stability 토론회, 2010-11 |
| 108 | Role of defects on the electronic and magnetic properties of Mn-doped GaN 장기주, 21COE Workshop in Korea, 21COE, 2007 |
| 109 | Role of oxygen vacancy in n-type conductivity in InGaO_3(ZnO)_m 장기주; 이우진; 류병기, 한국물리학회 봄 학술논문발표회, 한국물리학회, 2009-04 |
| 110 | Scaling of conductance fluctuations in hydrogenated graphene nanoribbons 최덕현; 장기주, The 9th KIAS Electronic Structure Calculation Workshop, KIAS, 2013-06 |
| 111 | Schottky barrier height and effective work function in Ni/oxide interface: a density-functional study 노현균; 오영준; 이태경; 장기주, The 8th KIAS Electronic Structure Calculation Workshop, KIAS, 2012-06 |
| 112 | Schottky barrier height at TiN/HfO2 interface and B segregation mechanism at Si/SiO2 interface = TiN/HfO2 계면의 쇼트키 장벽과 Si/SiO2 계면의 붕소 확산 메카니즘 연구link Oh, Young Jun; 오영준; et al, 한국과학기술원, 2015 |
| 113 | Schottky barrier heights and effective work functions at various TiAlN/HfO2 interface 김근명; 오영준; 장기주, 한국물리학회 봄 학술논문발표회, 한국물리학회, 2015-04 |
| 114 | Science and Design of nano-materials and nano-devices 장기주, 컴퓨터 모델링을 이용한 재료설계 개발 심포지움, 2003-06-09 |
| 115 | Searching for the diffusion pathway of boron at Si/SiO2 interface 김근명; 오영준; 장기주, 한국물리학회 봄 학술논문발표회, 한국물리학회, 2012-04-25 |
| 116 | Single parameter scaling in hydrogenated graphene and graphene nanoribbons 최덕현; 장기주, 한국물리학회 가을 학술논문발표회, 한국물리학회, 2012-10 |
| 117 | Stability and diffusion of hydrogen in Mg-doped GaN 박지상; 장기주, The 7th KIAS Electronic Structure Calculation Workshop, KIAS, 2011-06 |
| 118 | Stability and segregation of boron dopants in the interface structure between Si and amorphous SiO2 오영준; 노현균; 장기주, 한국물리학회 가을 학술논문발표회 v. no. , 한국물리학회, 2011-10 |
| 119 | Stability of B and P dopants in Si/SiO2 core-shell nanowires 김성현; 박지상; 장기주, The 9th KIAS Electronic Structure Calculation Workshop, KIAS, 2013-06 |
| 120 | Stability of boron dopants at the interface between Si and amorphous SiO2 오영준; 노현균; 장기주, The 7th KIAS Electronic Structure Calculation Workshop, KIAS, 2011-06 |
| 121 | Structural and magnetic properties of the Co atoms embedded in zigzag-shaped graphene nanoribbons 이태경; 장기주, 한국물리학회 봄 학술논문발표회, 한국물리학회, 2013-04 |
| 122 | Structural stability and electronic structure of bulk semiconductors and superlattices = 반도체 물질 및 초격자의 구조적 안정성과 전자구조에 대한 연구link Park, Chul-Hong; 박철홍; et al, 한국과학기술원, 1993 |
| 123 | Structural Stability of MgZnSSe-Alloy-Based Superlattices 장기주, 제2회 한국반도체 학술대회405, KPS, 1995-01-01 |
| 124 | Structural, electrical, and magnetic properties of Mn-doped GaN 장기주, The 3rd KIAS Workshop on Electronic Structure Calculations, KIAS, 2007-06-19 |
| 125 | The Effect of Interface Defects on the Boron Diffusion Pathway and Migration Barrier at Si/SiO2 Interface 김근명; 오영준; 장기주, 한국물리학회 가을 학술논문발표회, 한국물리학회, 2013-10 |
| 126 | The effect of Si impurities on the Schottky barrier height and effective work function at TiN/t-HfO2 interface 김근명; 오영준; 장기주, 한국물리학회 가을 학술논문발표회, 한국물리학회, 2015-10 |
| 127 | The effects of C and F impurities on the Schottky barrier height at TiN/HfO2 interface 김근명; 오영준; 장기주, 한국물리학회 가을 학술논문발표회, 한국물리학회, 2014-10 |
| 128 | The efffect of Al impurities on the work function at metal/HfO2 interface 김근명; 오영준; 장기주, The 11th KIAS Electronic Structure Calculation Workshop, KIAS, 2015-06-18 |
| 129 | The electronic and structural properties of Si/SiO2 core-shell nanowires 김성현; 박지상; 장기주, The 8th KIAS Electronic Structure Calculation Workshop, KIAS, 2012-06 |
| 130 | The electronic and transport properties of hydrogenated graphene nanoribbons 최덕현; 장기주, The 7th KIAS Electronic Structure Calculation Workshop, KIAS, 2011-06 |
| 131 | The electronic properties of MoS2 supported on SiO2 substrate 성하준; 최덕현; 장기주, 한국물리학회 봄 학술논문발표회, 한국물리학회, 2014-04 |
| 132 | The electronic properties of oxygen interstitial defects in amorphous In-Ga-Zn-O semiconductors 한우현; 오영준; 장기주, The 10th KIAS Electronic Structure Calculation Workshop, KIAS, 2014-06 |
| 133 | The electronic properties of oxygen interstitial defects in amorphous In-Ga-Zn-O semiconductors 한우현; 오영준; 장기주, 한국물리학회 봄 학술논문발표회, 한국물리학회, 2014-04 |
| 134 | The electronic properties of oxygen-related defects in amorphous In-Ga-Zn-O semiconductor 한우현; 오영준; 장기주, 제 10회 강유전체연합 심포지엄, 강유전체연구회, 2014-02 |
| 135 | The electronic structure of oxygen-vacancy in Si(001)/HfO_2 interface structures 장기주; 류병기, 한국물리학회 봄 학술논문발표회 , 한국물리학회, 2009-04 |
| 136 | The electronic structure of oxygen-vacancy in Si-HfO_2 interface structure 장기주; 류병기, The 5th KIAS Electronic Structure Calculation Workshop, 2009-06 |
| 137 | The electronic structure of oxygen-vacancy in ZnO/HfO2 interface structures 장기주; 류병기, 한국물리학회 가을학술논문발표회 , 한국물리학회, 2009-10 |
| 138 | The structural and electronic properties of oxidized silicon nanowires 박지상; 김성현; 장기주, 한국물리학회 봄 학술논문발표회, 한국물리학회, 2012-04-25 |
| 139 | Theoretical calculations of the dielectric function of silicon = 실리콘에 대한 유전상수의 이론적인 계산link Yoon, Nam-Sik; 윤남식; et al, 한국과학기술원, 1992 |
| 140 | Theoretical study on doping efficiency in silicon nanowires = 실리콘 나노선에서 도핑 효율에 대한 이론 연구link Kim, Sunghyun; 김성현; et al, 한국과학기술원, 2016 |
| 141 | Theoretical study on oxygen-related defects in amorphous oxide semiconductors and novel phases of boron and phosphorus = 비정질산화물 반도체 내 산소관련 결함 및 붕소와 인의 새로운 결정상에 관한 이론연구link Han, Woo Hyun; Chang, Kee Joo; et al, 한국과학기술원, 2018 |
| 142 | Theoretical study on the physical properties of carbon nanotubes = 탄소 나노튜브의 물리적 특성에 대한 이론 연구link Kim, Yong-Hyun; 김용현; et al, 한국과학기술원, 2003 |
| 143 | Theoretical study on the quantum electronic and transport phenomena in two-dimensional materials = 이차원 물질의 전자구조 및 전자 수송 현상에 대한 계산 연구link Choe, Duk-Hyun; 최덕현; et al, 한국과학기술원, 2015 |
| 144 | Theoretical study on the structural phase transformation of BeO and the electronic structure of deformed carbon nanotubes = BeO의 구조적 상전이 및 변형된 탄소 나노튜브의 전자구조 연구link Park, Chan-Jeong; 박찬정; et al, 한국과학기술원, 2000 |
| 145 | Theory of Hydrogen Diffusion in Crystalline Si 장기주, 한국물리학회 학술발표회, pp.196 - 196, 한국물리학회, 1989 |
| 146 | To acieve accurate formation energies of charged defects in one-dimensional systems 김성현; 박지상; 장기주, The 10th KIAS Electronic Structure Calculation Workshop, KIAS, 2014-06 |
| 147 | Transferability of total energy expressions in the linear-combination-of-atomic-orbitals method = LCAO 방법에서 총에너지 표현의 호환성에 관한 연구link Oh, Jung-Hyun; 오정현; et al, 한국과학기술원, 1991 |
| 148 | Transport properties of atomic wires and nanotubes and applications for nanodevices 장기주, 12회 유전체 물성 심포지움 및 5회 부산 응집물질물리 워커, 2003 |
| 149 | Universal conductance fluctuation behavior in disordered graphene topological insulators 최덕현; 장기주, 한국물리학회 봄 학술논문발표회, 한국물리학회, 2014-04 |
| 150 | wide band gap ZnO 반도체의 특성 및 응용 장기주, Photonics Conference 2004, 한국광학회, 2004-11 |
| 151 | Wurtzite및 삼각형격자의 광자 띠 구조에 관한 연구 = Photonic band structure of the wurtzite and triangular latticelink 기철식; Kee, Chul-Sik; et al, 한국과학기술원, 1996 |
| 152 | 다공질 실리콘에서 나타나는 잔류광전기 전도도에 대한 제일원리 = First-principles study of the persistent photoconductivity in porous siliconlink 박준철; Park, Jun-Chul; et al, 한국과학기술원, 1998 |
| 153 | 자석으로 사용될 수 있는 금속 도핑 탄소 나노 구조물 김용현; 장기주; 이태경, 2014-03-04 |
| 154 | 초격자 구조의 실리콘 결정 및 이를 포함하는 전자 소자 장기주; 오영준; 김성현; 이인호; 이주영 |
| 155 | 탄소나노튜브의 전자구조 김용현; 심흥선; 김용성; 장기주, 전기전자재료학회논문지, v.13, no.5, pp.13 - 21, 2000-05 |
