| 23 | Density functional calculations for the local bonding effect on the Mg acceptor level in nitride ternary alloys 박지상; 장기주, 한국물리학회 봄 학술논문발표회, 한국물리학회, 2013-04 |
| 24 | Determination of the Schottky barrier height and effective work function at TiN/HfO2 interface 오영준; 노현균; 이태경; 장기주, 한국물리학회 가을 학술논문발표회, 한국물리학회, 2012-10 |
| 25 | Development and applications of a real-space multigrid method for the first-principles electronic structure calculations = 제일원리 전자구조계산을 위한 실공간 다중격자법의 개발 및 응용link Jin, Young-Gu; 진영구; et al, 한국과학기술원, 2001 |
| 26 | Effect of dimensionality on the conductance fluctuation behavior in hydrogenated graphene systems 최덕현; 장기주, 한국물리학회 봄 학술논문발표회, 한국물리학회, 2013-04 |
| 27 | Effect of interface Ge atoms on the segregation of B dopants in SiGe/SiO2 interface 이창휘; 오영준; 김근명; 장기주, 한국물리학회 가을 학술논문발표회, 한국물리학회, 2013-10 |
| 28 | Effect of oxygen-vacancy defects on the electronic structure of Ni/SiO2 and Ni/HfO2 interfaces 오영준; 노현균; 장기주, 한국물리학회 가을 학술논문발표회, 한국물리학회, 2011-10 |
| 29 | Effect of spin-orbit interactions on the transport properties of graphene topological insulators 최덕현; 장기주, The 10th KIAS Electronic Structure Calculation Workshop, KIAS, 2014-06 |
| 30 | Effective Landé g-factor in the $\upsilon = 1$ quantum hall system = Filling factor $\upsilon = 1$ 인 양자홀 계의 유효 Landé g-factor $(g^{*})$에 관한 연구link Sim, Heung-Sun; 심흥선; et al, 한국과학기술원, 1997 |
| 31 | Electrical transport properties of nanoscale devices 장기주, The 5th International Nanotech Symposium and Exhibition in Korea , Nano Korea, 2007-08 |
| 32 | Electron transport in canbon nanotubes encapsulating fullerene-based structures = 플러렌에 기반한 구조를 내부에 가진 탄소 나노튜브의 전자 수송에 관한 연구link Kim, Dong-Hee; 김동희; et al, 한국과학기술원, 2001 |
| 33 | Electronic Correlations and Models for Pairing in Superconducting Oxides 장기주, 한국물리학회 학술발표회, pp.75 - 75, 한국물리학회, 1989 |
| 34 | Electronic structure and diffusion of B dopants in SiGe/SiO2 interface 이창휘; 오영준; 김근명; 장기주, The 9th KIAS Electronic Structure Calculation Workshop, KIAS, 2013-06 |
| 35 | Electronic structure and equilibrium properties of low dimensional quantum structures in strong magnetic fields = 강자장하에서 저차원 양자구조의 전자구조와 평형성질에 관한 연구link Oh, Jung-Hyun; 오정현; et al, 한국과학기술원, 1996 |
| 36 | Electronic Structure and Localization of Disordered Graphene and Graphene Nanoribbons by Hydrogenation 장기주, Dasan conference on Graphene Science and Technology, 2010-11 |
| 37 | Electronic structure and optical properties of low demensional systems = 저차원 구조의 전자구조 및 광학적 성질에 관한 연구link Chung, Tae-Young; 정태영; et al, 한국과학기술원, 1998 |
| 38 | Electronic structure calculations for oxygen vacancy in oxide semiconductors and insulators 장기주, The 5th KIAS Electronic Structure Calculation Workshop, 2009-06 |
| 39 | Electronic structure of donor-pair defects in Si1-xGex alloy nanowires 박지상; 류병기; 장기주, 한국물리학회 봄 학술논문발표회, 한국물리학회, 2011-04 |
| 40 | Electronic structure of monolayer and bilayer MoS2 on SiO2 성하준; 최덕현; 장기주, The 10th KIAS Electronic Structure Calculation Workshop, KIAS, 2014-06 |
| 41 | Finite temperature action-derived molecular dynamics simulations for molecular transformations of C_60 김용현; 이인호; 장기주, 한국물리학회 봄학술논문발표회 , pp.59 - 59, 한국물리학회, 2002-04 |
| 42 | Finite-temperature action-derived molecular dynamics in rare event simulations 이인호; 김용현; 이주영; 장기주, 한국물리학회 봄학술논문발표회, pp.100 - 100, 한국물리학회, 2002-04 |
| 43 | First principles study of the structural phase transformation of $HfO_2$ under pressure = $HfO_2$의 압력에 따른 구조적 상전이에 대한 제일 윈리 연구link Kang, Joon-Goo; 강준구; et al, 한국과학기술원, 2003 |
| 44 | First-pinciples study on the oxidation mechanism of carbon nanotube caps = 탄소나노튜브 캡에서의 산화과정에 관한 제일원리 연구link Moon, Chang-Youn; 문창연; et al, 한국과학기술원, 2001 |
| 45 | First-principles calculations of the coulomb pseudopotential $μ^*$ for the simple hexagonal phase of Si = 단순육방구조를 갖는 실리콘의 쿨롱쑤도포텐셜에 대한 제일원리 계산link Jin, Young-Gu; 진영구; et al, 한국과학기술원, 1997 |
| 46 | First-principles calculations of the dielectric function of Al = 알미늄에 대한 유전상수의 제일원리 계산link Lee, Keun-Ho; 이근호; et al, 한국과학기술원, 1993 |
| 47 | First-principles molecular dynamics approach to amorphous silicon and silicon clusters = 제일원리 분자동역학을 이용한 비정질 실리콘과 실리콘 집합체에 관한 연구link Lee, In-Ho; 이인호; et al, 한국과학기술원, 1996 |
| 48 | First-principles study for segregation of B and P dopants in Si/SiO2 core-shell nanowires 김성현; 박지상; 장기주, 한국물리학회 봄 학술논문발표회, 한국물리학회, 2013-04 |
| 49 | First-principles study for the exotic electronic properties of transition metal dichalcogenides and novel C and Si allotropes = 전이금속 칼코겐화합물 및 새로운 탄소 및 규소 동소체의 전자구조 특성에 관한 제일원리 연구link Sung, Ha-Jun; Chang, Kee Joo; et al, 한국과학기술원, 2018 |
| 50 | First-principles study of alkali-metal adsorption and surfactant-mediated = 제일원리 계산을 이용한 Si(100) 표면 위에 알칼리 금속 흡착과link Ko, Young-Jo; 고영조; et al, 한국과학기술원, 1998 |
| 51 | First-principles study of B diffusion meachnism at Si/$SiO_2$ interface and the effects of impurities at metal/high-k interface = 규소/규소산화물 계면에서 붕소의 확산 메커니즘과 금속/고유전율 물질 계면에서의 불순물에 대한 제일원리 연구link Kim, Geun-Myeong; 김근명; et al, 한국과학기술원, 2017 |
| 52 | First-principles study of boron-related defects in $SiO_2$ and boron segregation at the $Si/SiO_2$ interface = Bulk $SiO_2$ 내에서의 붕소결함과 $Si/SiO_2$ 계면에서의 붕소응집에 관한 제일원리 연구link Hwang, Jin-Heui; 황진희; et al, 한국과학기술원, 2011 |
| 53 | First-principles study of defect properties in semiconductors = 반도체 내의 결함 특성에 관한 제일원리 연구link Kim, Yong-Sung; 김용성; et al, 한국과학기술원, 2002 |
| 54 | First-principles study of defect properties in Si and dielectric response in $MgB_2$ = Si 반도체의 결함특성 및 $MgB_2$의 유전응답에 관한 제일원리 연구link Moon, Chang-Youn; 문창연; et al, 한국과학기술원, 2005 |
| 55 | First-principles study of defect properties in ultrathin MOS-based devices and diluted magnetic semiconductors = 초미세 MOS 기반 소자 및 자성 반도체에서의 결함특성에 관한 제일원리 연구link Kang, Joon-Goo; 강준구; et al, 한국과학기술원, 2007 |
| 56 | First-principles study of defect properties in ZnO and $SiO_2$ = ZnO 및 $SiO_2$ 내의 결함 특성에 관한 제일원리 연구link Lee, Eun-Cheol; 이은철; et al, 한국과학기술원, 2003 |
| 57 | First-principles study of defect properties of Si impurities in $HfO_2$ = $HfO_2$에 Si 불순물의 결함특성에 대한 제일 원리 연구link Kim, Dae-Yeon; 김대연; et al, 한국과학기술원, 2006 |
| 58 | First-principles study of defects and impurities in semiconductor nanowires and nitrides = 반도체 나노와이어와 질화물에서 결함과 불순물에 대한 제일원리 연구link Park, Ji-Sang; 박지상; et al, 한국과학기술원, 2013 |
| 59 | First-principles study of nanotubes and graphene related structures = 나노튜브 및 그래핀 복합 구조에 대한 제일원리 연구link Kang, Yong-Ju; 강용주; et al, 한국과학기술원, 2009 |
| 60 | First-principles study of oxygen vacancy in amorphous hafnium silicates = 비정질 하프늄 실리케이트 구조 내에서의 산소 결핍 결함에 관한 제일원리 연구link Noh, Hyeon-Kyun; 노현균; et al, 한국과학기술원, 2009 |
| 61 | First-principles study of the atomic and electronic structures of semiconductor/insulator interfaces and transparent amorphous oxide semiconductors = 반도체/절연체 계면 및 투명 비정질 산화물 반도체의 원자 및 전자구조에 대한 제일원리 연구link Ryu, Byung-Ki; 류병기; et al, 한국과학기술원, 2011 |
| 62 | First-principles study of the electronic structure and defect properties of transparent oxide semiconductors and diluted magnetic semiconductor nanowires = 투명 산화물 반도체와 자성 반도체 나노선의 전자구조 및 결함 특성에 대한 제일원리 연구link Lee, Woo-Jin; 이우진; et al, 한국과학기술원, 2009 |
| 63 | First-principles study of the electronic structure of lithium silicides 오영준; 류병기; 장기주, 한국물리학회 가을학술논문발표회, 한국물리학회, 2009-10 |
| 64 | First-principles study of the growth mechanism of cubic GaN film, the ferromagnetism of Co-doped ZnO nanowires, and the defect properties of high-k gate oxides = 입방구조 질화갈륨 박막 성장, 산화아연 나노선의 강자성 특성과 고유전체 게이트 산화물의 결함 특성에 대한 제일원리 연구link Choi, Eun-Ae; 최은애; et al, 한국과학기술원, 2010 |
| 65 | First-principles study of the local vibrational properties of $H_2$ and $H_2^*$ complexes in crystalline Si = 실리콘 결정 내의 $H_2$와 $H_2^*$ 복합체의 진동 성질에 관한 제일원리 연구link Kim, Yong-Sung; 김용성; et al, 한국과학기술원, 1999 |
| 66 | First-principles study of the magnetic properties of Mn-related binary compounds = 망간관련 합성 물질의 자기적 성질에 대한 제일원리 연구link Hong, Hyun-Min; 홍현민; et al, 한국과학기술원, 2004 |
| 67 | First-principles study of the origin of photoluminescences in porous silicon = 제일원리 계산을 이용한 다공질 실리콘의 발광 현상에 관한 연구link Lee, Sun-Ghil; 이선길; et al, 한국과학기술원, 1994 |
| 68 | First-principles study of the reconstructed and Na-adsorbed Si(100) surfaces = 제일원리 계산을 이용한 Si(100) 표면의 재결합과 Na이 흡착된 구조에 관한 연구link Ko, Young-Joe; 고영조; et al, 한국과학기술원, 1994 |
| 69 | First-principles study of the self-diffusion mechanism in silicon = 실리콘에서의 자체확산 메커니즘에 관한 제일원리 연구link Lee, Won-Chang; 이원창; et al, 한국과학기술원, 1996 |
| 70 | First-principles study on defects related to the instability of MOSFET and TFT devices = 제일원리 계산을 통한 MOSFET 및 TFT 소자의 불안정성 관련 결함에 대한 연구link Noh, Hyeon-Kyun; 노현균; et al, 한국과학기술원, 2013 |
| 71 | First-principles study on the Coulomb pseudopotential $μ^*$ of Pd and PdH = Pd과 PdH의 쿨롱 쑤도포텐셜($μ^*$)에 관한 제일원리 연구link Kim, Yong-Hyun; 김용현; et al, 한국과학기술원, 1999 |
| 72 | First-principles study on the defect properties of Si and ZnO and the transport behavior of hydrogenated graphene = 실리콘 및 산화아연 반도체에서의 결함 특성과 수소화된 그라핀의 전기전도 특성에 대한 제일원리 연구link Bang, Jun-Hyeok; 방준혁; et al, 한국과학기술원, 2010 |
| 73 | First-principles study on the dielectric response of solids = 고체의 유전 응답에 대한 제일원리 연구link Lee, Keun-Ho; 이근호; et al, 한국과학기술원, 1996 |
| 74 | First-principles study on the diffusion of B dopants in C-predoped Si = 탄소 원자가 주입된 실리콘 반도체에서 B 확산에 대한 제일원리 연구link Jwa, Sang-Hun; 좌상훈; et al, 한국과학기술원, 2009 |
| 75 | First-principles study on the electronic properties of Ge/Sn core-shell nanowires = Ge/Sn 코어-쉘 나노와이어의 전자 특성에 대한 제일 원리 연구link Pratidhina, Elisabeth Founda Noviani.; Pratidhina Founda Noviani, Elisabeth; et al, 한국과학기술원, 2016 |
| 76 | First-principles study on the mechanism for boron diffusion at SiGe/SiO$_2$ interfaces. = 제일원리 계산을 통한 규소게르마늄-규소산화물 계면에서의 붕소 확산 메카니즘 연구link Lee, Chang-Hwi; 이창휘; et al, 한국과학기술원, 2014 |
| 77 | First-principles supercell calculations for accurate defect transition levels in silicon nanowires 김성현; 박지상; 장기주, 한국물리학회 봄 학술논문발표회, 한국물리학회, 2014-04 |
| 78 | Formation of electrically inactive nitrogen complex in Si oxynitride 이은철; 장기주, 한국물리학회 가을학술논문발표회, pp.530 - 530, 한국물리학회, 2002-10 |
| 79 | GW calculations of the charge transition levels of oxygen-vacancy in HfO_2 최은애; 장기주, 한국물리학회 봄 학술논문발표회, 한국물리학회, 2009-04 |
| 80 | Hybrid functional and quasiparticle calculations of the effective work function of TiN on HfO2 오영준; 이태경; 노현균; 장기주, The 9th KIAS Electronic Structure Calculation Workshop, KIAS, 2013-06 |
| 81 | Hybrid functional calculations for the capture process of electrons by oxygen interstitial defects in amorphous In-Ga-Zn-O semiconductors 한우현; 오영준; 장기주, 한국물리학회 가을 학술논문발표회, 한국물리학회, 2014-10 |
| 82 | Hydrigen Passivation of DX Centers in $Al_xGa_{1-x}$As Alloys 장기주, 1990 Seoul International Symposium in the Physics of Semiconductors and Applications, pp.349 - 353, 1990 |
