UBM용 Ni 박막 형성 및 특성에 관한 연구Fabrication and characterization of the Ni films for the Applications to UBM
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.advisor | 이원종 | - |
| dc.contributor.advisor | Lee, Won-Jong | - |
| dc.contributor.author | 김응도 | - |
| dc.contributor.author | Kim, Eung-Do | - |
| dc.date.accessioned | 2011-12-15T01:47:04Z | - |
| dc.date.available | 2011-12-15T01:47:04Z | - |
| dc.date.issued | 2005 | - |
| dc.identifier.uri | http://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=243683&flag=dissertation | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/51646 | - |
| dc.description | 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 신소재공학과, 2005.2, [ iii, 77 p. ] | - |
| dc.description.abstract | 납규제로 인하여 주석 기반의 솔더 범프 물질이 개발되고 있다. 이에 따라 하부 금속층에 사용되는 물질은 주석과 반응성이 적어야 하는데 무전해 도금법으로 증착할 수 있는 니켈이 그러한 특성을 가지고 있다. 무전해 도금법으로 니켈 하부 금속층을 형성할 경우 zincation이라는 활성화 공정에 의해 패드와 하부금속층간 접착력이 좋지 않은 단점이 있다. 본 연구에서는 패드와 하부금속층간 접착력을 향상시키기 위해 니켈 씨드층을 도입하였으며 ICP enhanced bias sputtering법으로 증착하였다. 니켈 씨드층을 이용하여 하부 금속층을 증착하였을 경우 기존의 방법에 비해 접착력이 약 11배에서 25배 정도 증가한 결과를 얻을 수 있었다. 또한 ICP enhanced bias sputtering법으로 니켈 씨드층을 증착할 경우 기판에 인가한 바이어스가 니켈 씨드층 및 니켈 도금층의 물성에 미치는 영향도 연구하였다. | kor |
| dc.language | kor | - |
| dc.publisher | 한국과학기술원 | - |
| dc.subject | 접착력 | - |
| dc.subject | 하부금속층 | - |
| dc.subject | 무전해 도금 | - |
| dc.subject | ICP enhanced bias sputtering | - |
| dc.subject | 니켈 씨드층 | - |
| dc.subject | 스크레치 테스트 | - |
| dc.subject | scratch teston | - |
| dc.subject | adhesion | - |
| dc.subject | UBM | - |
| dc.subject | Electroless plating | - |
| dc.subject | ICP enhanced bias sputtering | - |
| dc.subject | Ni seed layer | - |
| dc.title | UBM용 Ni 박막 형성 및 특성에 관한 연구 | - |
| dc.title.alternative | Fabrication and characterization of the Ni films for the Applications to UBM | - |
| dc.type | Thesis(Master) | - |
| dc.identifier.CNRN | 243683/325007 | - |
| dc.description.department | 한국과학기술원 : 신소재공학과, | - |
| dc.identifier.uid | 020033136 | - |
| dc.contributor.localauthor | 김응도 | - |
| dc.contributor.localauthor | Kim, Eung-Do | - |
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