펄스 마그네트론 스퍼터링을 이용한 ITO 막박 증착에 관한 연구

Abstract

ITO 박막은 최근 왕성하게 연구되고 있다. 요근래 ITO는 많은 장치의 전극으로 사용되고 있지만, 저장량 부족가 고가라는 점이 ITO의 효과적인 사용의 장애가 되고 있다. 더 나은 장치과 기계의 점진적인 요구에 의해 좀 더 나은 ITO 박막의 증착을 위한 조건과 기술에 대한 발전이 요구되어지고 있다. 이 실험에서 나는 ITO 뿐만 아니라 절연체의 박막 증착에 사용되는 Pulsed-DC 마그네트론 스퍼터링을 이용하였다. Pulsed-DC 전원을 이용한 까닭은 DC와 RF에서 얻을 수 있는 장점을 모두 얻을 수 있기 때문이다. 그래서 유리판 위에 ITO를 증착하는데 사용되었다. 여기서 나는 몇가지 조건에 변화를 주었고, 서로 다른 결과를 얻게 되었다.(조건:전원, 산소의 분압, 총유량변화없는 가스의 비율, 가운데 자석의 세기) 그 결과 좋은 ITO 박막을 얻기 위해서는 산소를 챔버내에 거의 넣지 않는 것이 가장 적합하다는 것을 알게 되었다. 또한 산소의 비율도 중요했는데, 가스의 비율을 고정하고 총량을 변화하는 것은 의미가 없다는 것을 알게 되었다. 가운데 자석의 세기 경우엔, 가운에 자석이 9개가 되는 경우 가장 좋은 막질을 갖는 박막을 얻게 되었다. 마지막으로 전원은 20W에서 가장 좋은 막질을 보여주는 샘플을 얻게 되었다. 좋은 결과를 얻기 위해서는 여러 종류의 입자들과 플라즈마의 집중을 조절하는 것이 가장 중요하다. 그렇기 때문에 자기장 시뮬레이션이 필요할 것이고, 이에 대한 연구가 더 진행되어야 할 것이다. 마지막으로 그리드를 이용한 마그네트론 스퍼커링을 이용하여 OLED위에 알루미늄을 증착하는 실험을 지속할 것이다.