DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.advisor | 장홍영 | - |
dc.contributor.advisor | Chang, Hong-Young | - |
dc.contributor.author | 윤주미 | - |
dc.contributor.author | Yun, Ju-Mi | - |
dc.date.accessioned | 2011-12-14T07:59:07Z | - |
dc.date.available | 2011-12-14T07:59:07Z | - |
dc.date.issued | 2009 | - |
dc.identifier.uri | http://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=308624&flag=dissertation | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/48735 | - |
dc.description | 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 물리학과, 2009.2, [ v, 45 p. ] | - |
dc.description.abstract | 소자의 크기가 작아짐에 따라 MOSFET에서의 가동전압이 낮아졌다. 그 결과 기판에서 절연막(산화막, SiO2) 아래로 전하가 끌려오기 힘들고 따라서 소스와 드레인 사이에 채널 형성이 어렵다. MOSFET의 동작은 채널에 의해 이루어지기 때문에 채널 형성의 어려움은 결정적 단점이 된다. 이 문제 해결을 위해 dielectric constant가 큰 절연막이 필요하고 그 대안으로 oxynitridation을 한다. Oxynitridation을 함으로써 capacitance가 증가하여 전하를 많이 모을 수 있기 때문에 채널 형성이 수월하고 결과적으로 전기적 quality를 향상시킬 수 있다. 이렇게 산화막 위에 질화막을 입힐 때 열적 방법 대신 플라즈마를 사용함으로 인하여 소자의 defect를 막을 수 있으며 특히 펄스가 인가된 플라즈마를 이용하여 플라즈마 밀도와 이온 에너지를 독립적으로 조절함으로써 산화막 표면에만 얇게 질화막을 입힐 수 있는 장점이 있다. 펄스 플라즈마와 Continuous wave의 플라즈마의 파라미터들을 비교해 봄으로써 펄스 플라즈마의 장점과 반도체 공정으로의 응용이 가능함을 확인할 수 있었다. 실험 결과 Continuous wave 플라즈마에서는 ion energy(electron temperature에 의해 결정)와 플라즈마 밀도의 독립적인 조절이 불가능한 반면 펄스 플라즈마에서는 가능하였다. | kor |
dc.language | kor | - |
dc.publisher | 한국과학기술원 | - |
dc.subject | Plasma | - |
dc.subject | Pulsed Plasma | - |
dc.subject | Pulsed ICP | - |
dc.subject | Nitrogen plasma | - |
dc.subject | 플라즈마 | - |
dc.subject | 펄스 플라즈마 | - |
dc.subject | 유도결합 플라즈마 | - |
dc.subject | 질소 플라즈마 | - |
dc.title | 질화막을 입히기 위한 펄스가 인가된 질소 플라즈마 파라미터 거동 | - |
dc.title.alternative | Plasma parameter characteristics in Pulsed N2 Inductively Coupled Plasma for plasma oxynitridation | - |
dc.type | Thesis(Master) | - |
dc.identifier.CNRN | 308624/325007 | - |
dc.description.department | 한국과학기술원 : 물리학과, | - |
dc.identifier.uid | 020073344 | - |
dc.contributor.localauthor | 윤주미 | - |
dc.contributor.localauthor | Yun, Ju-Mi | - |
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