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110 GHz까지 CMOS 트렌지스터 평가를 위한 mTRL 교정 표준기 설계 및 특성 임피던스 추출법 구현지; 홍영표; 이승경; 홍성철; 김완식; 김소수, 한국전자파학회 논문지, v.30, no.12, pp.934 - 944, 2019-12 |
1times8 배열, 7.8 μmμm 최대반응 GaAs/AlGaAs 양자우물 적외선 검출기 박은영; 최정우; 노삼규; 최우석; 박승한; 조태희; 홍성철; et al, 한국광학회지, v.9, no.6, pp.428 - 432, 1998-12 |
4x4 매트릭스 광스위치의 최적 설계 최원준; 홍성철; 이석; 김회종; 이정일; 강광남; 조규만, 전자공학회논문지, v.32, no.8, pp.1143 - 1155, 1995-08 |
CCl4를 사용하여 베이스를 탄소도핑한 AlGaAs/GaAs HBT의 제작 및 특성 손정환; 김동욱; 홍성철; 권영세, 전자공학회논문지, v.30, no.12, pp.1031 - 1039, 1993-12 |
Class-E CMOS PAs for GSM Applications 이유미; 박창건; 홍성철; 이홍탁, JOURNAL OF THE KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE, v.9, no.1, pp.32 - 37, 2009-03 |
Electric Field Effects on Intersubb and Transitions in Quantum Well Structure. 홍성철, v.3, no.0, pp.0 - 0, 1987-12 |
Implementation of Neural Networks Using QW Based Excitonic Device. 홍성철, v.27, no.0, pp.0 - 0, 1988-12 |
Quantum Confined Stark Effect를 이용한 양자우물구조 광변조기의 제작 및 광학적 특성 정희상; 김윤구; 이동한; 신동수; 홍성철, 새물리, v.36, no.6, pp.655 - 659, 1996 |
SOI 양자소자 제작과 단전자터널링 특성 이병탁; 박규술; 이철희; 백승원; 이상돈; 박종완; 김장한; et al, 한국물리학회지, v.34, no.6, pp.501 - 502, 1998-03 |
Theoretical Investigation of Photocurrent Controlled Thermal Feedback of Multiple Quantum Well Structure 홍성철, KITE JOURNAL OF ELECTRONICS ENGINEERING, v.3, no.1, pp.40 - 48, 1992 |
단일칩 집적화를 위한 RF MEMS 수동소자 윤준보; 박은철; 최윤석; 하두영; 홍성철; 윤의식, 전자파기술지, v.13, no.2, pp.44 - 52, 2002-04 |
비선형 DAC를 이용한 Ka 대역 가변 이득 위상천이기 이민규; 임수빈; 정광현; 박진석; 홍성철, 한국전자파학회 논문지, v.34, no.11, pp.844 - 847, 2023-11 |
시간 영역 유한 차분법을 이용한 마이크로스트립 구조의 풀-웨이브 해석 김동욱; 홍성철; 이귀로, 전자공학회논문지 A, v.29, no.7, pp.554 - 561, 1992-07 |
양자점 원적외선 수광소자 전망 이욱현; 강용훈; 엄준호; 홍성철; 최원준; 이동한; 김문덕; et al, 전자공학회지, v.30, no.5, pp.43 - 52, 2003-05 |
웨이퍼상의 D-대역 회로의 전자파 성능 측정 구현지; 김일권; 권재용; 강태원; 조치현; 김완식; 홍성철, 한국전자파학회 논문지, v.34, no.1, pp.15 - 24, 2023-01 |
휴대 단말기용 전력 증폭기 기술 박현민; 김덕환; 홍성철, 전자공학회지, v.29, no.9, pp.31 - 38, 2002-09 |
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