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Enhancement of Operation Efficiency in Charge Trap Memory Using Antiferroelectric HfZrO2 신성원; 신의중; 이승환; 이태인; 김민주; 안현준; 황완식; et al, 제27회 한국반도체학술대회, 연세대학교, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2020-02-13 |
Investigation of ALD-Ni as P type Work function Metal Electrode on High-k dielectrics 안현준; 문정민; 김용준; 노일철; 김춘환; 조병진, 24th Korean Conference on Semiconductors, SK Hynix, 2017-02-14 |
Leakage current Improvement of Anti-ferroelectric capacitor with Bottom electrode annealing 이승환; 김성호; 안현준; 김태호; 신성원; 조병진, 제27회 한국반도체학술대회, 연세대학교, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2020-02-13 |
Low Resistance ALD-NiGe Contact with Phosphorus Segregation on n-Type Germanium 안현준; 문정민; 이태인; 조병진, 제25회 한국반도체학술대회, 서강대학교, 2018-02-07 |
Metal/Al2O3/GeO2/Ge 구조의 열처리에 따른 유효 일함수에 대한 연구 이태인; 서유진; 문정민; 안현준; 유현영; 황완식; 조병진, 24th Korean Conference on Semiconductors, SK Hynix, 2017-02-15 |
Reliability Improvement of Charge Trap Flash Memory Cell with Sealing Oxide in Fluorine Incorporation 이승환; 이태윤; 안현준; 이태인; 신의중; 신성원; 조병진, 제26회 한국반도체학술대회, DB하이텍, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2019-02-14 |
Superior Carrier Mobility of Ge MOSFETs Depending on Channel Orientation with EOT of 0.57 nm Using Y-ZrO2/GeOx/Ge Stack 이태인; Nguyen, Manh-Cuong; 김민주; 안현준; 신의중; 이승환; 신성원; et al, 제27회 한국반도체학술대회, 연세대학교, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2020-02-13 |
Work Function Tuning of Titanium Nitride Gate Electrode Employing Atomic Layer Deposition for PMOS Devices 문정민; 안현준; 노일철; 김춘환; 조병진, 24th Korean Conference on Semiconductors, SK Hynix, 2017-02-14 |
Y 도핑된 ZrO2 고유전율 박막을 이용한 0.67 nm의 EOT와 매우 낮은 누설 전류를 가지는 Ge 기반 게이트 구조 이태인; 김민주; 안현준; 신의중; 이승환; 신성원; 황완식; et al, 제26회 한국반도체학술대회, DB하이텍, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2019-02-15 |
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