Silicon anodization 을 이용한 silicon 에서의 boron 과 arsenic diffusion profile 의 측정

Abstract

Silicon 에서의 impurity diffusion profile 을 측정하는 방법으로 silcon anodization 방법에 의해 연속적으로 일정한 두께의 silicon을 제거하면서 그때마다 표면에서의 sheet Resistance $\rho_s$ 를 측정하는 방법을 채택하였다. Silicon anodization 의 전해액으로는 Ethylene Glycol + $KNO_3$ (0.04N)을 썼고 200V의 전압을 가했을때 1번의 anodization에 의해 삭감되는 silicon 두께는 wafer 의 type 에 관계없이 460 $\pm$ 40$A^\circ$이다. Diffusion 조건을 달리한 여러 sample 을 가지고 boron 과 arsenic 의 diffusion profile 을 측정, 비교 하였고 또한 npn transistor 의 emitter, base 에서 dopant profile 을 측정하였다. 끝으로 측정한 boron 과 arsenic 의 diffusion profile data 로 부터 두 impurity 의 concentration dependent diffusion coefficient 를 구하였다.