다결정 실리콘 이중 전극 구조의 전하결합소자를 이용한 이차원 영상 감지소자의 설계 및 제작 : 전하이동 효율Design and fabrication of the area image sensor using charge-coupled device with double polycrystalline sillicon gates : charge-transfer efficiency
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.advisor | 김충기 | - |
| dc.contributor.advisor | Kim, Choong-Ki | - |
| dc.contributor.author | 오춘식 | - |
| dc.contributor.author | Oh, Choon-Sik | - |
| dc.date.accessioned | 2011-12-14T02:09:52Z | - |
| dc.date.available | 2011-12-14T02:09:52Z | - |
| dc.date.issued | 1982 | - |
| dc.identifier.uri | http://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=63451&flag=dissertation | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/38841 | - |
| dc.description | 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과, 1982.2, [ iii, 76, [1] p. ] | - |
| dc.description.abstract | analog 신호 처리 능력을 가지고 있는 charge-coupled device를 이용하여 n-channel 16X16 CCD area image sensor 를 제작하였는데, 이 소자는 overlapping poly/poly,poly/Al gate와 ion-implanted barrier를 갖는 2-phase,frame-transfer 방식이다. 제작된 감지소자를 이용하여 alphabet 등을 image source 로 하여 오실로스코우프에 display 하여 출력영상을 얻었고 output reg. 를 사용하여 주파수 변화에 대한 전하이동 손실의 변화를 측정하였다. 그 결과는 50 KHz 와 100 KHz사이에서는 ε= 0.93% 로 유지되나, 주파수가 100 KHz 를 넘어서면 loss가 증가하기 시작하여 200 KHz 에서는 1.45%가 되었다. 그러나 chnnel length 를 줄이고 적절한 process 를 수행하면 전하이동 효율을 향상시킬수 있으리라 생각한다. | kor |
| dc.language | kor | - |
| dc.publisher | 한국과학기술원 | - |
| dc.title | 다결정 실리콘 이중 전극 구조의 전하결합소자를 이용한 이차원 영상 감지소자의 설계 및 제작 | - |
| dc.title.alternative | Design and fabrication of the area image sensor using charge-coupled device with double polycrystalline sillicon gates : charge-transfer efficiency | - |
| dc.type | Thesis(Master) | - |
| dc.identifier.CNRN | 63451/325007 | - |
| dc.description.department | 한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과, | - |
| dc.identifier.uid | 000803540 | - |
| dc.contributor.localauthor | 김충기 | - |
| dc.contributor.localauthor | Kim, Choong-Ki | - |
| dc.title.subtitle | 전하이동 효율 | - |
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