광화학 기상 증착법을 이용한 이종접합 태양전지의 제작

Abstract

본 논문에서는 일반적으로 이종접합 태양전지에서 사용되는 PECVD방식이 아닌 광화학 기상 증착법을 사용하여 처음으로 제작하였다. 먼저, 광흡수층으로 사용되는 p형 비정질 실리콘의 조건을 최적화 하였다. 광흡수층의 최적화는 이종접합 태양전지의 성능에 직접적으로 영향을 미치기 때문에 필수적이다. 두번째로, 반사방지막과 투명전극으로 사용되는 산화아연막의 두께를 최적화하였다. 산화아연막의 두께는 단락전류에 영향을 미친다. 세번째로, 직렬저항을 줄이기 위해서 손가락모양의 그리드와 물고기뼈모양의 그리드를 설계하여 적용하여 보았으며 그 효과를 확인하였다. 또한, 이종접합 태양전지의 특성을 향상시키기 위해 광화학 기상 증착법을 이용하여 기판의 수소처리를 실시하였다. 수소처리는 기판의 결함을 줄여주는 방법으로 많이 사용되는 방법으로 광화학 기상 증착법을 이용하여 기판에 손상을 주지 않는 수소처리를 실시하였다. 또한, 자외선 후처리를 통해서 이종접합 태양전지의 성능 향상의 가능성을 보였다. 위와 같은 방법으로, 광화학 기상 증착법을 이용한 이종접합 태양전지를 최초로 제작하였으며 광화학 기상 증착법을 이용하여 수소 패시베이션과 자외선 후처리를 통한 이종접합 태양전지의 특성 향상의 가능성을 보였다.