측면 완충 영역을 갖는 $LiNbO_3$ 자기정렬 리지 광도파로의 제작

Abstract

측면 완충 영역을 갖는 리지 광도파로를 +Z-cut $LiNbO_3$ 기판 위에 처음으로 제작하였다. 광도파로는 양자교환 방법으로 형성하였고, 리지는 양자교환한 부분을 습식 식각 하는 방법으로 형성하였다.광도파로 마스킹을 위한 알루미늄을 습식식각 하는 방법을 이용하여 자기정렬을 수행하였다. 자기정렬 리지 광도파로와 일반 양자교환 광도파로의 비교를 위하여 하나의 기판에 이 두가지 광도파로를 함께 제작하였다. 제작된 리지 광도파로의 측면 완충 영역 폭은 4.5 μm 였고, 리지의 높이는 1.6 μm 였다. 평균 전파손실을 0.86 dB/cm 였고, Y 분기점 추가 손실은 0.55 dB 였다. 일반 양자교환 광도파로에 비하여 전파손실은 약 0.3 dB/cm 증가하였고 Y 분기점 추가 손실은 증가하지 않았다.