양자 채널 트랜지스터의 일 차원 부 밴드 효과에 관한 연구

Abstract

전자 선 묘화, 수직 건 식각, 그리고 열 산화 기술을 이용하여 SOI 웨이펴 상에 아주 좁은 폭을 갖는 점 접촉 구조를 제작, 측정하였다. 제작한 소자의 측정 결과, 상온에서는 일반적인 모스 트랜지스터와 같은 동작을 보였으며, 70mK의 저온에서는 뚜렷한 전도도의 양자화 현상을 관찰할 수 있었고, 약 1.7K까지의 측정 온도에서 그 특성을 볼 수 있었다. 이론적으로 계산된 결과와 유사한 일치를 보였으며, 따라서, 실리콘 채널을 둘러싼 산화막의 에너지 장벽에 의해 일 차원 구속이 성공적으로 이루어져 나타난 부 밴드 효과인 것으로 보인다.