빛을 쪼인 그리고 빛을 쪼이지 않은 산화아연의 표면에서의 일산화탄소의 산화반응이 150 ℃와 350 ℃에서 각각 연구되었다.
빛을 쪼이지 않았을 때 이산화탄소의 생성속도는 산소에 대해서는 0차이고 일산화탄소에 대해서는 1차였으나 빛을 쪼인 경우는 그 속도가 산소의 분압에 영향을 받았었다.
촉매의 전기전도도와 빛에 의해서 생성된 과잉 전하운송체의 이완시간이 측정되었다.
이 결과들에 의하면 빛에 의해서 생긴 전자와 구멍은 산소의 흡착과 일산화탄소의 탈착에 각각 관여한다고 생각된다.
광촉매 반응중에는 촉매활성의 현저한 감소가 있었다. 이러한 활성의 저하는 아마도 한 종류의 주게 역할을 하는 틈자리 아연의 농도가 줄어지는데 그 원인이 있는 것 같다.