DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.advisor | Choi, Sung-Yool | - |
dc.contributor.author | 이인성 | - |
dc.contributor.author | Lee, Inseong | - |
dc.date.accessioned | 2024-07-25T19:31:21Z | - |
dc.date.available | 2024-07-25T19:31:21Z | - |
dc.date.issued | 2023 | - |
dc.identifier.uri | http://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=1045937&flag=dissertation | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/320706 | - |
dc.description | 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학부, 2023.8,[iv, 48 p. :] | - |
dc.description.abstract | 전이 금속 디칼코게나이드 계열의 구성원인 이황화 몰리브덴($MoS_2$)은 고도로 통합된 확장 가능한 트랜지스터를 위한 유망한 채널 재료입니다. 그러나 황 공석($V_s$)과 같은 본질적인 도너 결함 상태는 채널의 특성을 저하시키고 원하지 않는 n-도핑을 유발할 수 있습니다. 본 연구에서는 플라즈마 처리에 의한 손상으로부터 $MoS_2$ 채널을 보호하기 위해 산화알루미늄($Al_2O_3$) 보호층이 있는 상태에서 산소 플라즈마를 사용하여 단일층 $MoS_2$에서 전자 공여체 결함 상태를 치유하는 방법을 제안합니다. $Al_2O_3$ 보호층이 존재하는 경우에도 산소 원자에 의한 $MoS_2$의 전자 공여체 결함 상태의 성공적인 치유는 X선 광전자 분광법, 광발광 및 라만 분광법으로 확인되었습니다. 또한, 3.82 x $10^{12}$ cm$^{-2}$의 캐리어 농도 감소에도 불구하고 제안된 접근 방식은 최적의 조건에서 18% 전류 및 44% 이동도 증가를 나타냅니다. 또한 금속-절연체 전이 현상은 5.7 x $10^{12}$ cm$^{-2}$의 전자 농도에서 발생하며 향상된 채널 품질을 반영합니다. 마지막으로, 산소 플라즈마 처리 후 국소화된 상태로 작용하는 $V_s$의 감소로 인해 모든 게이트 전압($V_G$) 영역에서 감소된 활성화 에너지($E_a$)가 관찰되었습니다. 우리의 연구는 플라즈마 공정을 활용하여 2차원 재료의 결함을 치유하고 전기적 특성을 향상시켜 차세대 전자 장치 개발을 위한 길을 열 수 있음을 보여줍니다. | - |
dc.language | kor | - |
dc.publisher | 한국과학기술원 | - |
dc.subject | transition metal dichalcogenides▼amolybdenum disulfide▼aoxygen plasma▼asulfur vacancies▼adefects▼abarrier layer▼achemical vapor deposition▼ametal insulator transition | - |
dc.subject | 전이 금속 디칼코게나이드▼a이황화 몰리브덴▼a산소 플라즈마▼a황 공석▼a결함▼a보호층▼a화학 기상 증착▼a금속-절연체-전이 | - |
dc.title | 산소 플라즈마 처리를 통한 산화 알루미늄 보호층이 증착된 $MoS_2$ 트랜지스터의 전자 공여체 결함 치유 | - |
dc.title.alternative | Healing donor defect states in CVD-grown $MoS_2$ FET using oxygen plasma with $Al_2O_3$ barrier layer | - |
dc.type | Thesis(Master) | - |
dc.identifier.CNRN | 325007 | - |
dc.description.department | 한국과학기술원 :전기및전자공학부, | - |
dc.contributor.alternativeauthor | 최성율 | - |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.