강유전체 전계효과 트랜지스터 기반의 비휘발성 다수결 함수 로직-인-메모리NONVOLATILE MAJORITY FUNCTION LOGIC-IN-MEMORY BASED ON FERROELECTRIC FIELD EFFECT TRANSISTOR
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 전상훈 | ko |
| dc.contributor.author | 황정현 | ko |
| dc.date.accessioned | 2024-04-17T07:01:10Z | - |
| dc.date.available | 2024-04-17T07:01:10Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/319054 | - |
| dc.description.abstract | 비휘발성 다수결 함수 로직-인-메모리가 개시된다. 일 실시예에 따르면, 비휘발성 다수결 함수 로직-인-메모리는, 강유전체 전계효과 트랜지스터(Ferroelectric Field Effect Transistor; FeFET)를 포함하고, 상기 강유전체 전계효과 트랜지스터의 게이트에는 복수의 강유전체 커패시터들이 연결되는 것을 특징으로 할 수 있다. | - |
| dc.title | 강유전체 전계효과 트랜지스터 기반의 비휘발성 다수결 함수 로직-인-메모리 | - |
| dc.title.alternative | NONVOLATILE MAJORITY FUNCTION LOGIC-IN-MEMORY BASED ON FERROELECTRIC FIELD EFFECT TRANSISTOR | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 전상훈 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2021-0126837 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2655202-0000 | - |
| dc.date.application | 2021-09-27 | - |
| dc.date.registration | 2024-04-02 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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