실리콘 광증배 소자Silicon photomultiplier device

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광효율 성능과 잡음 성능을 개선할 수 있는 실리콘 광증배 소자가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 광증배 소자는 기판에 형성된 복수개의 아발란치 포토다이오드(avalanche photodiode) 구조체; 및 상기 복수개의 아발란치 포토다이오드 구조체 사이에 각각 배치되어 하나의 아발란치 포토다이오드 구조체에서 발생하는 2차 광자가 인접한 아발란치 포토다이오드 구조체로 이동하는 것을 차단하되 아발란치 포토다이오드의 리셋(reset)을 위한 억제저항(quenching resistance)을 제공할 수 있는, 다크카운터 저감 및 억제저항 통합구조체;를 포함한다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Application Date
2015-12-29
Application Number
10-2015-0188666
Registration Date
2017-07-26
Registration Number
10-1763865-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/318158
Appears in Collection
NE-Patent(특허)
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