スティープスロープ電界効果トランジスタとその動作方法

Abstract

スティープスロープ電界効果トランジスタとその製造方法を提供する。本発明の一実施形態に係るスティープスロープ電界効果トランジスタは、基板上に形成されるソース、チャネル領域、ドレインと、前記チャネル領域の上部に形成されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上部に形成されるフローティングゲートと、前記フローティングゲートの上部に形成される遷移層と、前記遷移層の上部に形成されるコントロールゲートとを含み、前記スティープスロープ電界効果トランジスタは、前記コントロールゲートに基準電位以上を印加することで前記フローティングゲートに保存された少なくとも1つの電荷を放出または搬入させることができる。