탄화규소의 열분해를 이용한 그래핀 양자점의 제조방법 및 이의 방법으로 제조된 그래핀 양자점Preparation method of graphene quantum dot using pyrolysis of silicon carbide and graphene quantum dot prepared thereby
본 발명은 탄화규소의 열분해를 이용한 그래핀 양자점의 제조방법 및 이의 방법으로 제조된 그래핀 양자점에 관한 것으로, 수소를 포함하는 혼합가스가 공급되는 감압 분위기에서 탄화규소 기판을 열분해하는 단계;를 포함하는, 그래핀 양자점의 제조방법 및 이의 방법으로 제조된 그래핀 양자점에 관한 것이다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2021-02-01
- Application Number
- 10-2021-0013843
- Registration Date
- 2023-08-29
- Registration Number
- 10-2572414-0000
- Appears in Collection
- NE-Patent(특허)
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