더미 구조물을 포함하는 반도체 장치 및 그 제조 방법SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING DUMMY STRUCTURE AND FABRICATING METHOD THEREOF
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 안승영 | ko |
| dc.contributor.author | 김현웅 | ko |
| dc.contributor.author | 이성희 | ko |
| dc.contributor.author | 박종철 | ko |
| dc.contributor.author | 박주성 | ko |
| dc.contributor.author | 김민창 | ko |
| dc.contributor.author | 송경환 | ko |
| dc.date.accessioned | 2023-08-11T05:00:21Z | - |
| dc.date.available | 2023-08-11T05:00:21Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/311441 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 더미 구조물을 포함하는 반도체 장치에 관한 것으로, 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 장치는 복수의 반도체칩, 상기 복수의 반도체칩을 관통하는 신호 실리콘 관통 전극(through silicon via, TSV), 상기 복수의 반도체칩을 관통하는 접지 실리콘 관통 전극 및 상기 복수의 반도체칩 각각에서, 상기 신호 실리콘 관통 전극과 상기 접지 실리콘 관통 전극 사이 공간에 포함되어 상기 신호 실리콘 관통 전극과 상기 접지 실리콘 관통 전극 간의 누설 전류(leakage current)를 감소시키는 더미 구조물을 포함할 수 있다. | - |
| dc.title | 더미 구조물을 포함하는 반도체 장치 및 그 제조 방법 | - |
| dc.title.alternative | SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING DUMMY STRUCTURE AND FABRICATING METHOD THEREOF | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 안승영 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 박종철 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2021-0139684 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2558916-0000 | - |
| dc.date.application | 2021-10-19 | - |
| dc.date.registration | 2023-07-19 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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