탄소막 형성 방법Method for forming carbon thin film
본 발명은 탄소막을 형성하는 방법으로, 보다 상세하게는 자기제어 및 탄화를 이용하여 비정질 탄소막을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 탄소막 형성 방법에 대한 일 실시예는 기판 상에 고분자 박막을 형성하는 단계; 상기 기판과 상기 고분자 박막을 축합반응시켜, 상기 기판과 상기 고분자 박막 사이에 그래프팅된 고분자 박막을 형성하는 단계; 상기 그래프팅된 고분자 박막 상에 남아 있는 고분자 박막을 제거하는 단계; 및 상기 그래프팅된 고분자 박막을 탄화시켜, 탄소막을 형성하는 단계;를 포함한다.
- Assignee
- 한국과학기술원, 서울대학교산학협력단
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2021-03-10
- Application Number
- 10-2021-0031173
- Registration Date
- 2023-07-07
- Registration Number
- 10-2554755-0000
- Appears in Collection
- MS-Patent(특허)
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