메모리 디바이스MEMORY DEVICE

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본 발명은 워드라인과 비트라인의 동작에 의해 데이터를 저장하는 메모리 셀을 포함하는 메모리 디바이스에 있어서, 워드라인 신호에 의해 동작하는 메모리 셀이 결합된 비트라인; 상기 비트라인에 일측단이 결합되며, 상기 메모리 셀의 라이트 모드 및 상기 메모리 셀의 리드 모드에서 인에이블되는 제1 스위치; 프리차지 전압 라인에 일측단이 결합되며, 상기 메모리 셀의 상기 라이트 모드에서 디스에이블되는 제2 스위치; 반전 입력단이 상기 제1 스위치의 타측단에 결합되며, 비반전 입력단이 상기 제2 스위치의 타측단에 결합된 오피 앰프; 상기 오피 앰프의 출력단과 상기 오피 앰프의 상기 반전 입력단 사이에 결합되며, 상기 메모리 셀의 상기 라이트 모드에서 인에이블되는 제3 스위치; 상기 오피 앰프의 상기 출력단에 결합되며, 상기 오피 앰프의 상기 출력단의 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환하여 출력하는 아날로그-디지털 컨버터; 및 상기 오피 앰프의 상기 비반전 입력단에 결합되며, 상기 메모리 셀에 저장하고자 하는 디지털 신호를 아날로그 신호로 변환하여 상기 오피 앰프의 상기 비반전 입력단에 인가하는 디지털-아날로그 컨버터; 를 포함하는 메모리 디바이스에 관한 것이다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Application Date
2022-09-16
Application Number
10-2022-0116926
Registration Date
2023-06-08
Registration Number
10-2543062-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/310091
Appears in Collection
EE-Patent(특허)
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