DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 심홍구 | ko |
dc.contributor.author | 안택 | ko |
dc.contributor.author | 고승원 | ko |
dc.contributor.author | 김종철 | ko |
dc.contributor.author | 이재민 | ko |
dc.date.accessioned | 2022-12-19T09:01:17Z | - |
dc.date.available | 2022-12-19T09:01:17Z | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/303231 | - |
dc.description.abstract | 【要約】 本発明は、各種電界発光素子に適用可能な発光高分子に関し、より詳しくは、下記式(I)で表わすシクロヘキシル又はフェニルが置換されたシリル基を側鎖で備えるポリ(p-フェニレンビニレン)の新規の誘導体(I)を提供する。 (I) 【化1】 式中、Rはシクロヘキシル又はフェニルが置換されたシリル基であり、mは1~4の定数である。 本発明の発光高分子は、優秀な熱的性質と発光効率を発揮し、シリル置換体の電子特性によって緑色の発光波長領域で発光するので、電界発光素子の原料として非常に優れる。 | - |
dc.title | シクロヘキシル又はフェニルが置換されたシリル基を側鎖で備えるポリ(p-フェニレンビニレン)誘導体, これを含む電界発光素子及び同誘導体の製造方法 | - |
dc.title.alternative | 사이클로헥실 또는 페닐이 치환된 실릴기를 곁사슬로 구비하는 폴리(p-페닐렌 비닐렌) 유도체, 이것을 포함한 전계발광 소자 및 동 유도체 제조 방법 | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 심홍구 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 안택 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 고승원 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 김종철 | - |
dc.contributor.assignee | KAIST | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 2003515575 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 3968346 | - |
dc.date.application | 2002-07-22 | - |
dc.date.registration | 2007-06-08 | - |
dc.publisher.country | JA | - |
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