절연체로 N2O 플라즈마 산화막을 이용한 EEPROM 및 플래시 메모리와 그 제조방법

Abstract

본 발명은 EEPROM 및 플래시 메모리와 그 제조방법에 관한 것으로서, 상세하게는 플로팅 게이트와 컨트롤 게이트 사이의 절연체(interpoly dielectric)로 N2O 플라즈마 산화막을 이용한 EEPROM 및 플래시 메모리와 그 제조방법이다.본 발명에서는 EEPROM 및 플래시 메모리의 절연체로 N2O 플라즈마 산화막을 이용하며, 도핑된 다결정 실리콘의 플로팅 게이트(floating gate) 위에 형성된 산화막의 누설전류 특성이 단결정 실리콘 위에 형성된 열산화막과 유사하고, 스트레스(stress)가 적으며 저온 공정이 가능한 산화막 형성방법을 제시하여 산화막/질화막/산화막(oxide/nitride/oxide)의 3중 층 구조의 첫 번째 산화막을 안정되게 형성한다. 또한 상기 3중 층 구조의 절연체를 단층(single layer)의 산화막으로 하여 제조공정을 단순화시킨 것이다.