마이크로파를이용한다결정박막의제조방법

Abstract

본 발명은 규소(Si) 반도체, 불순물이 첨가된 규소 반도체, Si1-XGeX 등의 Si 합금을 포함한 IV족 반도체, 또는 Ⅲ-Ⅴ족·Ⅱ-Ⅵ족 반도체 등의 비정질 박막을, 마이크로파에 의한 열처리로써 결정화하여 다결정 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은, 기판을 세척하고 증착 장비에 장입하여 증착에 필요한 온도까지 기판을 예열하는 공정; 상기 기판에 비정질 또는 미세결정질 박막을 증착하는 공정; 및 증착된 박막을 마이크로파로 열처리하여 결정화함으로써 다결정 박막을 형성하는 공정으로 구성된다. 본 발명의 제조방법에 따르면, 비정질 박막을 고상결정화 함에 있어서 마이크로파를 이용함으로써 결정화 온도를 유리의 이용이 가능한 500℃까지 낮추고 결정화 시간도 기존의 수십 시간에서 수 시간으로 단축할 수 있다.