다결정실리콘박막트랜지스터의제조방법

Abstract

본 발명은 다결정실리콘 박막트랜지스터에 관한 것으로, 다결정실리콘 박막 트랜지스터의 전자 이동도를 높이고 문턱전압을 낮추기 위해 기판(1)상에 초기산화막(2)을 형성하는 공정, 상기 초기산화막(2)상에 다결정실리콘(3)을 중착하고 소정 패턴으로 패터닝하는 공정, 상기 다결정실리콘(3) 표면을 ECR에 의한 산호 플라즈마를 이용하여 산화시켜 산화막(10)을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 다결정실리콘 박막트랜지스터의 제조방법을 제공한다.상기와 같은 본 발명에 의하면 저온 공정에 의한 다결정실리콘 박막트랜지스터의 제조가 가능하며, 증가된 전자이동도에 의해 박막 트랜지스터의 구동능력이 향상된다.