씨앗층을이용한PLZT박막의제조방법PROCESS FOR THE PREPARATION OF PLZT THIN FILM USING SEED LAYER

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본 발명은 페르보스카이트상으로만 이루어진 PLZT 박막을 제조하기 위한 방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 솔-젤 공정을 이용하여 La/Zr/Ti 비율이 15.5/40/60인 PLZT 코팅 용액으로 씨앗층을 형성한 후, 그 위에 PLZT(9.5/65/35)코팅 용액을 입히고, 1회 열처리 공정을 행함으로써 입자가 미세하고 균일한 100% 페르보스카이트상으로만 이루어진 PLZT 박막이 제조된다. 본 발명에 의하여 제조된 PLZT 박막은 이차 전광 효과의 응용에 적합하고, 특히 투광성이 향상되어 차세대 광전 소자로 널리 사용될 수 있다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Application Date
1993-11-26
Application Number
10-1993-0025439
Registration Date
1996-08-02
Registration Number
10-0102974-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/302490
Appears in Collection
MS-Patent(특허)
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