광 수신기 제조 방법

Abstract

본 발명은, 제 1 기판 위에 버퍼층, 채널층, 장벽층, 및 캡층을 차례로 적층하는 단계와, HEMT(High Electron Mobility Transistor)와 도파로 형 MSM(Metal-Semiconductor-Metal) 광검출기의 영역을 제외한 상기 버퍼층, 채널층, 장벽층, 및 캡층을 제거해서 상기 HEMT와 상기 도파로 형 MSM 광검출기에 각기 대응하는 각 메사(Mesa)를 형성하는 단계와, 상기 HEMT의 소스 전극과 상기 HEMT의 드레인 전극을 형성하는 단계와, 상기 HEMT의 게이트 전극이 형성될 영역과 상기 도파로 형 MSM 광검출기의 쇼트키 전극이 형성될 영역의 상기 캡층을 제거하는 단계와, 상기 캡층이 제거된 영역에 상기 HEMT의 게이트 전극과 상기 도파로 형 MSM 광검출기의 쇼트키 전극을 선택적으로 형성하는 단계와, 광도파로 영역의 상기 캡층, 장벽층, 및 채널층을 제거하여 광도파로가 드러나도록 하는 단계와, 상기 각 소자를 보호하기 위한 패시베이션(Passivation)을 하는 단계로 이루어진다.